BNBT无铅压电陶瓷晶粒定向生长

采用固相合成法制备了0.94(Na1/2 Bi1/2)TiO3-0.06BaTiO3(BNBT)陶瓷粉体,用传统压电陶瓷工艺制备了无铅压电陶瓷,研究了烧结工艺对其径向收缩率和相对密度的影响.结果表明:随着保温时间的增加,径向收缩率和相对密度都出现了极大值.将陶瓷粉体与分散剂均匀混合制成高固相含量的浆料,以SrTiO3(100)单晶基片做模板,通过流延法制备了晶粒定向生长模型材料,初步探讨了热处理工艺对晶粒定向生长习性的影响.结果表明,随着保温时间的增加,晶体生长层厚度增加,生长层致密度增大.     

MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究

采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列.在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列.XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向.SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差.     

大气开放式MOCVD氧化镁薄膜的生长及表征

以2,4-乙酰丙酮化镁为前驱体,衬底温度为480℃,采用MOCVD工艺,分别在玻璃、氧化铝陶瓷、单晶Si(111)和Si(100)衬底上生长了取向生长的氧化镁薄膜。X射线衍射结果表明,无论是采用玻璃、氧化铝、单晶Si(111)和Si(100)衬底,氧化镁薄膜都是沿着(100)晶面取向生长。通过扫描电镜观察得到,在单晶Si(100)衬底上生长的氧化镁薄膜表面平整致密。模拟卢瑟福背散射结果显示,沉积时间超过70min时,界面处发生硅向氧化镁层少量扩散现象。     

溶胶-凝胶法合成Sr2CeO4及其发光性能的研究

采用Pechini溶胶－凝胶法合成了Sr2CeO4粉末。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、热重及差热分析（TG－DTA）以及发光光谱等测试手段对Sr2CeO4的结晶过程、发光性质进行了研究。XRD结果表明，用Pechini溶胶－凝胶法合成的样品800℃时已开始结晶，900℃时可得到三斜晶系的Sr2CeO4多晶粉末。扫描电镜照片可以看出颗粒大小不均匀，粒径约为1－5μm。发光光谱测试表明Sr2CeO4粉末的激发光谱是一个宽带双峰结构，分别位于310nm和340nm。这个宽带属于Ce^4 的电荷迁移带。用340nm激发样品，其发射光谱也是一个宽带，最大峰位于475nm，这个峰属于Ce^4 的f→t1g跃迁。用310nm激发得到的发射光谱与用340nm激发得到的发射光谱相同。