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采用45钢销和尼龙PA66盘,运用正交试验法在MMW-1A万能摩擦磨损试验机上研究干滑动摩擦条件下速度、载荷和金属销表面粗糙Ra对45钢/PA66配副摩擦学性能的影响. 通过极差分析与方差分析发现:载荷、粗糙度对摩擦系数与磨损量有显著影响,而速度影响相对较小. 当载荷为50 N,速度为11.25 m/s,Ra为0.60 μm时,摩擦系数与磨损量最小. 基于正交试验的最优结果,开展控制变量试验,试验结果表明:载荷小于90 N时,PA66以黏着磨损为主;载荷为90 N时,PA66磨损形式为犁削磨损和黏着磨损. 载荷为140 N时,PA66的磨损形式为黏着磨损并伴有胶合现象的产生. Ra小于0.46 μm时,PA66以黏着磨损为主;Ra为0.46 μm时,PA66的磨损形式为黏着磨损和犁削磨损且在对偶金属销表面上形成连续的转移膜;Ra大于0.46 μm时,PA66以犁削磨损为主. 相似文献
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碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×10~(10)?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对~(241)Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器. 相似文献
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The spatial chirp generated in the Ti:sapphire multipass amplifier is numerically investigated based on the onedimensional(1D) and two-dimensional(2D) Frantz–Nodvik equations. The simulation indicates that the spatial chirp is induced by the spatially inhomogeneous gain, and it can be almost eliminated by utilization of proper beam profiles and spot sizes of the signal and pump pulses, for example, the pump pulse has a top-hatted beam profile and the signal pulse has a super-Gaussian beam profile with a relatively larger spot size. In this way, a clear understanding of spatial chirp mechanisms in the Ti:sapphire multipass amplifier is proposed, therefore we can effectively almost eliminate the spatial chirp and improve the beam quality of a high-power Ti:sapphire chirped pulse amplifier system. 相似文献
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