（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2]的合成及表征

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0．65FNi（C3S7）2].通过元素分析（EA），电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP—AES），核磁共振（^1HNMR），紫外光谱（UV）对该化合物进行了表征。     

催化动力学分光光度法测定痕量甲醛

在稀硫酸溶液中,甲醛对溴酸钾氧亚甲蓝褪色反应有催化作用,研究其动力学条件,建立了测定痕量甲醛的动力学光度分析方法。结果表明,该法线性范围为0.00～0．80μg·L^-,检出限3．315×10^-8g·mL^-1。该法用于食用菌、杏仁和漆料的浸泡液中痕量甲醛的测定,标准加入回收率为96．7％～104．2％     

反射式负电子亲和势GaN光电阴极的光电发射及稳定性研究

利用在线多信息紫外光电阴极激活评估系统,测试了真空室内两个GaN 光电阴极Cs,O激活后及衰减6 h和18 h后补Cs的光谱响应特性曲线和量子效率曲线;并绘制了光纤光源波长为300 nm的光电阴极响应电流衰减变化曲线.实验结果证明,GaN 光电阴极较GaAs阴极具有更好的稳定性,量子效率可保持相对稳定达10 h,然后缓慢衰减,衰减速率较窄禁带半导体材料低得多.补Cs后光电流最大值较刚激活完有16.8%的增长,这充分证明阴极表面量子效率衰减的原因是Cs的脱附,而不是O的吸附.这些现象可由双偶极层模型来解释, 关键词： 光学 光电阴极 量子效率 稳定性     

MoO3纳米带修饰MCM-22催化甲烷无氧芳构化反应

利用天然气生产芳烃是一个有吸引力的课题,这个过程需要具有高性能活性位点的催化剂,以活化稳定的碳氢键．在甲烷直接转化方法中,将甲烷无氧脱氢芳构化(MDA)转化为高附加值芳烃(如苯、甲苯和萘)是甲烷增值的有效途径．本研究采用MoO₃纳米带作为Mo源,微孔分子筛MCM-22作为载体制备双功能Mo基催化剂,结果表明MoO₃纳米带高度分散在分子筛内部,与分子筛中Br?nsted酸中心结合形成有效活性中心,改善了甲烷无氧脱氢芳构化反应的催化活性,提高了催化剂的稳定性．在甲烷无氧脱氢芳构化反应测试中,当MoO₃纳米带的负载量质量分数为6%时,N-Mo-HMCM-22催化剂催化的甲烷转化率达到14.1%,苯产率可达8.2%．本研究为合成高性能、稳定的MDA催化剂提供了一种更为简易的策略．     

NO分子在钙钛矿表面吸附的红外光谱分析

用柠檬酸络合法合成了LaMnO3、LaCoO3和LaFeO3.NO分子红外光谱表明在上述化合物中存在不同类型的不饱和配位阳离子.对于LaFeO3来说,不饱和配位Fe2 的出现与表面缺陷有关;对于LaCoO3和LaMnO3表面来说,主要是不饱和配位Me3 与氧的配位性更强.     

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温CaN表面生长了一层低温岛状GaN．形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其徽观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明：InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥，其密度约10^11cm^-2。室温下，InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明，用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜．有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。     

InP的MOVPE生长

我们利用自制的常压MOVPE设备和国产的三甲基钢以及进口的磷烷生长了InP外延材料,其77K迂移率为65300cm²/V·s,据我们所知这是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值。     

Enhanced Photoluminescence of InGaN/GaN Green Light-Emitting Diodes Grown on Patterned Sapphire Substrate

Green InGaN/GaN based light-emitting diodes （LEDs） are fabricated both on planar and wet-etched patterned sapphire substrates by metalorganic vapour phase epitaxy （MOVPE）. Their photoluminescence （PL） properties of the two samples are studied. The results indicate that the PL integral intensity of the green LED on the patterned substrate is nearly two times of that on the planar one within the whole measured temperature range. The enhanced PL intensity in the green LED on the patterned substrate is shown completely contributed from the extraction efficiency, but not from the internal quantum efficiency. The conclusion is supported by temperature-dependent PL analysis on the two samples, and the mechanisms axe discussed.     

Photoemission of graded-doping GaN photocathode

We study the photoemission process of graded-doping GaN photocathode and find that the built-in electric fields can increase the escape probability and the effective diffusion length of photo-generated electrons,which results in the enhancement of quantum efficiency.The intervalley scattering mechanism and the lattice scattering mechanism in high electric fields are also investigated.To prevent negative differential mobility from appearing,the surface doping concentration needs to be optimized,and it is calculated to be 3.19×10 17 cm 3.The graded-doping GaN photocathode with higher performance can be realized by further optimizing the doping profile.     

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征

在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响.发现当以氮气做载气时,样品的发光很弱并且在550nm附近存在一个很宽的深能级发光峰;当采用氮气和氢气的混合气做载气时,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高.以混合气做载气,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低,而薄膜的结构和光学性能却提高.结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数:即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃.