低温AIN插入层降低硅基GaN膜微裂

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂；在高温GaN层中插入低温MN。低温MN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力，降低厚膜外延层的微裂，已研制出厚度超过1．8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A1N生长温度对HT-GaN材料的影响，给出了较佳的LT-MN生长温度。采用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD），对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A1N的生长温度至关重要，生长温度过低影响GaN晶体质量，甚至不能形成晶体；生长温度过高同样会影响GaN结晶质量，同时降低插入层的应力平衡作用；实验结果表明最佳的LT-MN插入层的生长温度为680℃左右。     

Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。