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1篇
专业分类
物理学
1篇
出版年
1987年
1篇
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1
1.
等离子体氧轰击硅生成缺陷的研究
下载免费PDF全文
王放平
徐建国
孙恒慧
《物理学报》
1987,36(5):646-650
本文对等离子体氧轰击硅产生的缺陷进行了研究。发现等离子体氧轰击在硅中引入两个缺陷E
1
(E
c
—0.46eV)及E
2
(E
c
—0.04eV)。测量了缺陷的光电离截面谱,分析表明,缺陷E
2
的电子声子相互作用很强,其Frank-Condon移动达0.76eV,缺陷E
1
的电子声子相互作用较小,其Frank-Condon移动为0.04eV。由实验结果得到与缺陷E
1
、E
2
相耦合的声子模分别为hω
p
(1)
=28meV,hω
p
(2)
=20meV。
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