金属β-二酮化合物用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜

对用于MOCVD法生长铁电氧化物薄膜的金属β－二酮化合物的制备、结构及性质进行了评述，对它们在生长铁电薄膜中的应用现状进行了介绍，并对它们的应用前景作了展望。     

MoO_3/Al_2O_3、MoO_3/TiO_2与NiO-MoO_3/TiO_2催化剂上活性相还原行为的XPS考察

石化工业中广泛使用的加氢脱硫(简称HDS)催化剂大多数是以γ-Al_2O_3为担体,以MoO_3或WO_3为主要活性组份,添加CoO或NiO为助剂的多组份催化剂。过去对HDS催化剂本质做了大量的研究,在研究中应用了XPS等许多现代物理方法近。年有报导     

Fe(110)面上CO化学吸附状态的吸附历史依赖关系

Fe(110)面上直接在室温时吸附的CO同先在170 K吸附然后升温到室温的CO吸附有所不同. 前者有解离而后者无解离; 另外, 前者的饱和吸附量比后者低. 这可以用前者发生了解离来解释. 根据以上结果, 提出了以下的设想, Fe(110)面上的CO解离除了需要足够的热能而外, 还需要在表面的吸附位上有邻近的其它未被覆盖Fe原子的存在, 即需要一定的表面结构.     

新型光学活性α-氨基磷酸及其酯合成进展

α-氨基膦酸酯是一类很重要的天然氨基酸类似物，具有新颖的化学结构和多 种生理活性。综述了近年来光学活性α-氨基膦酸及酯的合成进展。     

脊髓小脑变性疾病病人血清铜,锌,铝,铁含量的研究

脊髓小脑变性疾病（ＳＣＤ）的病因可能与遗传、神经生化紊乱、感染、微量元素平衡障碍及自由基损伤等因素有关，其中微量元素平衡障碍的研究具有重要意义。检测了ＳＣＤ中发病率较高的橄榄桥小脑萎缩症（ＯＰＣＡ）及晚发性小脑皮质萎缩症（ＬＣＣＡ）病人１５例血清中铜、锌、铝、铁等微量元素含量。发现病人比对照组铜明显降低，Ｐ〈０．０１；锌明显降低，Ｐ〈０．０１；铝明显升高，Ｐ〈０．０１；铁无明显差别。     

计算机模式识别法对甲状腺机能亢进症微量元素谱的研究

据Mahlanobis距离判别法，利用计算机多元统计判别程序，对14例甲亢思者和21例健康人的血清中锌、铁、铜、锰、镁和锶等元素浓度差异进行分类判别研究。选择锌、铁、钙、锶作判别特征参量时，患者和健康人的分类准确率为100％，服碘前与服碘后的甲亢患者分类准确率为92.7％，分类研究指出，甲亢患者血清中的铁和锶浓度高于健康人，经服碘治疗后，患者血清中上述元素浓度降低与健康人相近。     

钽—二溴苯基荧光酮—酒石酸—十六烷基三甲基溴化铵四元混配型络合物体系的研究及其分析应用

文献均认为在钽与苯基荧光酮、CTMAB组成的络合物中,酒石酸作为第二配位体参加,组成四元混配络合物体系。本文研究了以二溴苯基荧光酮(DBPF)为显色剂测定钽的条件。证实必须有酒石酸或其它配位原子是氧的络合剂、或有F~-存在,才有显色反应,其中以酒石酸参加组成     

单分散磁性P(St/BA/MAA)微球的制备

在共沉淀法合成超细磁流体的基础上 ,以苯乙烯 (St)、丙烯酸丁酯 (BA)和甲基丙烯酸 (MAA)为共聚单体 ,在不同的介质体系中采用无皂乳液聚合法制备了单分散 ,粒径范围为 80～ 2 30nm的磁性P(St BA MAA)微球 .详细探讨了介质极性、磁流体中表面活性剂含量对磁性高分子微球粒径和单分散性的影响 .实验结果表明 ,在一定范围内随介质极性降低 ,磁性高分子微球的单分散性提高 ,随表面活性剂用量增加 ,单分散性变差 .总体来看 ,磁性高分子微球的单分散性与其表面静电斥力密切相关 ,过大或过小的静电斥力均会导致磁性高分子微球单分散性的降低 .     

高电子迁移率晶体管微波损伤仿真与实验研究

针对AlGaAs/InGaAs型高电子迁移率晶体管,利用TCAD半导体仿真工具,从器件内部空间电荷密度、电场强度、电流密度和温度分布变化分析出发,研究了从栅极注入1 GHz微波信号时器件内部的损伤过程与机理。研究表明,器件的损伤过程发生在微波信号的正半周,负半周器件处于截止状态;器件内部损伤过程与机理在不同幅值的注入微波信号下是不同的。当注入微波信号幅值较低时,器件内部峰值温度出现在栅极下方靠源极侧栅极与InGaAs沟道间,由于升温时间占整个周期的比例太小,峰值温度很难达到GaAs的熔点;但器件内部雪崩击穿产生的栅极电流比小信号下栅极泄漏电流高4个量级,栅极条在如此大的电流下很容易烧毁熔断。当注入微波信号幅值较高时,在信号正半周的下降阶段,在栅极中间偏漏极下方发生二次击穿,栅极电流出现双峰现象,器件内部峰值温度转移到栅极中间偏漏极下方,峰值温度超过GaAs熔点。利用扫描电子显微镜对微波损伤的高电子迁移率晶体管器件进行表面形貌失效分析,仿真和实验结果符合较好。     

微波注入反相器基本电路的非线性效应

采用理论分析和微波注入实验相结合的方法,分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题,通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析,并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明：在固定环境温度条件下,有效注入功率大于33 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上;有效注入功率大于30 dBm,频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显,拐点为40~70 ns不等,与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。