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掺杂非醚聚苯基喹噁啉薄膜电致发光的研究邓振波,黄京根,董树忠,
王建宝,张博,陆访,孙恒慧(复旦大学物理系,复旦大学材料系,上海200433)聚合物薄膜电致发光(PTFEL)器件的主要特点是制造方便、设备简单、成本低廉并且可以通过改变材料体系、掺杂或调...
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利用X射线双晶衍射,测量了经过800—1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束外延硅中的应变情况,发现应变部分弛豫.并得出外延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度(7.5×10~(29)—3.1×10~(20)cm~(-3)成正比,比例系数β为5.1.在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延展晶格质量与电学性质变化的主要原因.
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利用X射线双晶衍射,测量了经过800-1100℃快速退火处理的重掺硼的分子束处延硅中的应用情况,发现应变部分驰豫,并得出延层与衬底硅的晶格失配与替位硼浓度成正比,比例系数β为5.1,在此测量基础上,提出硼团簇的形成与分解是外延层格质量电学性质变化的主要原因。
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用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。
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