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对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析，提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型，该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti/SiC界面层电压降和镜像力对SiC Schottky结反向特性的影响，模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiC Schottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因.分析结果表明在一般工作条件下SiC Schottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的. 相似文献
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