M.K.D.V方程高阶全离散Galerkin有限元格式

本文用对角隐式Runge-Kutta方法(D.I.R.K),对M.K.D.V.方程在时间方向离散,采用增加扰动项的办法,得到了L~2模意义下时间方向具有三阶精度的格式。数值实例表明,其精度比无拢动项及C-N格式好。还证明了收敛性和稳定性,用Newton迭代法求解非线性方程组,并证明选取适当的初始值,Newton迭代仅需一步完成。     

光学材料微缺陷引起的损伤机理及后处理

采用时域有限差分方法（FDTD）进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟；同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。     

高效光学加工技术

为验证国产大口径KDP晶体金刚石车床（图1）的加工能力，进行了多次试验。加工的φ150mm小于0．52的铝镜面已达到与俄罗斯机床同等水平。但同时进行的一轮KDP晶体车削试验，结果并不满意，其单次透射波前畸变近4λ，原因可能是KDP晶体的装夹存在问题，导致加工效率不佳。而且加工中还产生周期性波纹，可能是由于机床压缩空气供给系统的周期性启动，造成周期性的压力波动。     

大型爆轰实验示波器组群控制系统

针对爆轰实验中示波器的应用特点，介绍大型爆轰实验示波器组群控制系统。分析了基于GPIB接口的示波器组群的硬件连接方式，控制软件的组成，示波器的实验过程控制方式，数据存储格式和示波器组群控制系统的安全措施。     

能否利用大气中的电势差驱动电动机

地球表面附近的大气层中存在着电场,其方向垂直向下,强度约为120V/m。能否利用这种电势差来驱动电动机呢?如果能够的话,那将是一种取之不尽、用之不竭、无污染、无噪声的新型能源。与其它电机相比,它的设备简单,不受环境、自然条件的限制,足以推动一场新的工业革命浪潮出现。     

平面数控抛光工艺优化技术

为了满足“神光”-Ⅲ装置对大批量大口径光学元件的需求，解决加工精度以及加工效率等方面的问题，对计算机控制光学表面成型技术（CCOS）进行了多方面的研究。在对平面数控软件进行了深入的研究工作后，结合高精度干涉检测手段，对数控工艺软件进行了大幅的改进。     

强光光学元件波前检测算法

针对强光光学元件高精度检测中使用的两个新参数一——波前位相梯度和功率谱密度的数值计算方法进行了研究，并对目前使用的大口径干涉仪传递函数进行了实验标定。     

从结构电算谈设计概念

使用计算机进行结构设计虽然能大大减轻计算工作量，但不能取代人的设计概念，只有在设计人员具备较全面的设计概念；有一定设计经验；同时深入了解程度的情况下，才能确保工程设计的质量。     

手性芳酰胺类分子钳的设计与微波合成

以间苯二甲酸为隔离基, 酰胺键桥联L-氨基酸甲酯构成手臂, 在微波辐射下合成了具有不同手性中心和裂穴的新型手性芳酰胺类分子钳. 结构均经¹H NMR, IR及元素分析确证, 并考察了其对芳香胺类化合物和D/L-氨基酸甲酯的识别性能. 初步研究表明, 这类分子钳受体不仅对中性小分子具有优良的识别性能, 其结合常数(K_a)可达2.66×10³ L•mol^－1, 而且对D/L-氨基酸甲酯亦具有良好的手性识别能力.     

聚吡咯衍生物的合成及液晶性能

系统论述了新型导电功能性液晶聚合物3-和N-液晶基元取代聚吡咯的合成和液晶行为。指出通过化学氧化聚合、电化学氧化聚合和脱卤缩合聚合可以获得液晶性聚吡咯衍生物。它们均显示热致液晶行为，且多数呈现近晶液晶相，少数呈现向列液晶相，有些具有2种近晶相，有些具有单变液晶性。N-液晶基元取代聚吡咯比3-位取代聚吡咯具有较高的液晶稳定性。较长的亚甲基间隔和极性的介晶基团能够使N-取代聚吡咯具有较大的液晶微区和稳定的液晶相。N-取代液晶聚吡咯在摩擦力的作用下还可以诱发单轴取向。这种热致液晶性聚吡咯衍生物的研究成功有希望克服聚吡咯难以成型加工的巨大障碍。