新型压缩感知计算模型分析三维电大目标电磁散射特性

为提高基于压缩感知技术的矩量法在三维电大目标双站电磁散射问题中的计算效率和稳定性,提出新的稀疏、测量和重构方法,构建一种新型压缩感知计算模型.不同于基于欠定方程的传统的压缩感知计算模型,新型计算模型首先采用按行均匀抽取阻抗矩阵的方法构造测量矩阵以获得稳定的计算结果;然后,基于Foldy-Lax方程生成多阶特征基函数并作为稀疏基对感应电流进行稀疏转换;再依据少数低阶特征基函数足以近似表征感应电流的先验条件,将恢复算法简化为最小二乘法;最后,将矩阵方程转换为一个超定系统并采用最小二乘法解出电流系数.与传统的计算模型相比,新型计算模型不仅可以获得更加稳定的精确解,还可以显著提高电大目标双站散射问题的求解效率和计算精度.数值仿真结果证明了新方法的可行性和高效性.     

应用改进的特征基函数法和自适应交叉近似算法快速分析导体目标电磁散射特性

特征基函数的构造是特征基函数法的关键步骤之一, 传统方法在构造特征基函数时, 需要在每个子域设置足够多的入射波激励, 生成的特征基函数个数较多, 奇异值分解时间较长. 为了加快特征基函数的构造, 本文提出了一种改进的特征基函数法. 该方法充分考虑每个子域之间的耦合作用, 求出每个子域的次要特征基函数, 从而降低入射波激励的个数, 大大减少了特征基函数的个数; 并且结合自适应交叉近似算法加速阻抗矩阵元素的计算, 提高了次要特征基函数求解和缩减矩阵构建过程中的矩阵矢量相乘的速度. 数值结果证明了本文方法的精确性和高效性. 关键词： 电磁散射 矩量法 特征基函数法 自适应交叉近似     

新型缩减矩阵构造加快特征基函数法迭代求解

针对特征基函数法在分析电大目标电磁散射特性时存在缩减矩阵方程迭代求解收敛慢的问题,提出一种新型缩减矩阵构造方法提高特征基函数法的迭代求解效率.首先,应用奇异值分解技术压缩激励源,求解出新激励源下各子域的特征基函数;其次,将新激励源和特征基函数作为构造缩减矩阵的检验函数和基函数新方法构造的缩减矩阵的对角子矩阵均为单位矩阵,缩减矩阵条件数得到了优化.与传统方法相比,新方法构造的缩减矩阵方程迭代求解效率得到了显著提高;另外,由于矩阵方程求解次数减少,特征基函数的构造效率也得到了提高,数值结果证明了新方法的精确性和有效性.     

Band offset and electronic properties at semipolar plane Al N(1ī01)/diamond heterointerface

Tailoring the electronic states of the Al N/diamond interface is critical to the development of the next-generation semiconductor devices such as the deep-ultraviolet light-emitting diode, photodetector, and high-power high-frequency field-effect transistor. In this work, we investigate the electronic properties of the semipolar plane Al N(1ˉ101)/diamond heterointerfaces by using the first-principles method with regard to different terminated planes of Al N and surface structures of diamond(100) plane. A large number of gap states exist at semi-polar plane Al N(1ˉ101)/diamond heterointerface, which results from the N 2 p and C 2 s2 p orbital states. Besides, the charge transfer at the interface strongly depends on the surface termination of diamond, on which hydrogen suppresses the charge exchange at the interface. The band alignments of semi-polar plane Al N(1ˉ101)/diamond show a typical electronic character of the type-II staggered band configuration. The hydrogen-termination of diamond markedly increases the band offset with a maximum valence band offset of 2.0 e V and a conduction band offset of 1.3 e V for the semi-polar plane N–Al N(1ˉ101)/hydrogenated diamond surface. The unique band alignment of this Type-II staggered system with the higher CBO and VBO of the semi-polar Al N/HC(100) heterostructure provides an avenue to the development of robust high-power high-frequency power devices.