GaAs激光器激射波长和温度的关系以及温升的研究

一、概 述 研究激光器激射波长随温度的变化,在理论分析和实际应用中都有重要意义.这方面的工作还未见有过系统的报导.我们观察到了温度变化对应的波长移动对不同外延片的器件是各不相同的,在较高温度时还看到波长移动的斜率减小.用导带电子准费米能级的移动解释了这些现象. 脉冲工作的激光器在脉冲期间的加热主要由三个热源引起: 1.体电阻和接触电阻发热; 2.自发和受激辐射的吸收; 3.注入电子的非辐射复合. 这些热源分别作用在激光器的不同区域.第一个热源分布在整个体材料和接触电极上;第二个热源是靠近结的p边;第三个热源是作用在少数载…     

反射率小于10-4的1310 nm光电子器件增透膜技术的研究

阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉法淀积半导体器件的端面光学膜的优良特性,介绍了淀积反射率小于１０＾－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术,并对这种技术的优点和两端面淀积增透膜后的激光器特性进行了讨论。     

溶胶-凝胶法制备(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1)O3无铅压电陶瓷研究

锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷由于具有较好的压铁电性能且环境友好而备受研究者关注,但其存在烧结温度高(>1450℃)、居里温度低等缺点。为降低锆钛酸钡钙基压电陶瓷的预烧及烧结温度,并优化其电学性能,本研究采用溶胶-凝胶法成功合成了(Ba_0.85Ca_0.15)(Ti_0.9Zr_0.1)O₃无铅压电陶瓷的前驱粉体,并在预烧温度为1000℃、烧结温度为1420℃时成功制备了(Ba_0.85Ca_0.15)(Ti_0.9Zr_0.1)O₃陶瓷,相较于传统固相法,陶瓷的预烧温度降低了250℃,烧结温度降低了30℃,成功改善了陶瓷的烧结行为,得到了铁电性能、介电性能和压电性能优良且致密性良好的低温烧结陶瓷。