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一、反常光生伏打效应 自七十年代开始,人们发现,均匀铁电晶体在均匀光照下出现稳态短路光生电流和开路光生电压的现象,这种现象称为反常光生伏打效应(APVE)或反常光生伽伐尼效应,也称为体光生伏打效应1). 半导体中的光生伏打效应一般包括丹倍效应和势垒型光伏效应.当波长合适的光照射到半导体样品上并被样品一定厚度的表面层吸收时,光生电子和空穴将向体内扩散.由于电子和空穴的扩散系数有差异,两种载流子向内部扩散的速率不同.在光持续照射的条件下,入射表面和与它相对的表面之间将形成一定的电动势,这就是丹倍效应.如果在半导体样品内… 相似文献
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