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本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入ZrO2单晶所引起的原子级联碰撞过程.模拟结果表明,Ar+离子沿[111]轴沟道方向入射的溅射率低于沿[101]轴沟道方向入射的溅射率,更低于沿非沟道方向入射的溅射率.Ar+离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ar+离子入射能量的增大而迅速增大.因此在薄膜生长的过程中,若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击,薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒,其溅射率和损伤程度较小.这些晶粒能保存下来并继续生长,而其它的晶粒由于其溅射率和损伤程度较大生长受到抑制.在薄膜生长的过程中,溅射率最少的晶粒由于生长速度较快,最终抑制了其它取向晶粒的生长.该模拟计算定性地说明了由于晶粒溅射产额的各向异性导致了Y稳定的ZrO2薄膜具有单一的取向和平面织构. 相似文献
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