p层空穴浓度及厚度对InGaN同质结太阳电池性能的影响机理研究

采用数值模拟的方法,研究了p层空穴浓度和厚度对不同铟组分InGaNp-i-n同质结太阳电池性能的影响规律及其内在机理.模拟计算的结果显示:随着p层空穴浓度和厚度的增加,太阳电池的转换效率均呈先增加、后略微下降的趋势;而且铟组分越高,p层空穴浓度和厚度的影响越大.为更好地理解这一规律,本文从太阳电池的收集效率、I-V特性、内建电场和载流子输运等方面分析,阐述了其背后的物理机理;研究结果对InGaN太阳电池的结构设计及实验制备有一定的理论指导意义.