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采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
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ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性 总被引:1,自引:0,他引:1
对采用溶胶凝胶法制备的ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱性质进行了测试分析.UV-Vis透射光谱中观察到光吸收边相对于体相半导体有明显蓝移.稳态发射光谱(PL)中观察到ZnSe纳米晶体的位于蓝区的基本呈高斯分布的弱的最低激子发射峰、强而宽的表面态发光带以及对应杂质能级的三个锐峰发光.时间分辨荧光光谱(TRPL)中观察到发光效率高的最低激子发射峰,并测量其荧光衰减寿命,经尾部拟合为28.5 ps.同时,结合有效质量近似(EMA)模型,估计ZnSe纳米晶体的平均粒径介于2.45~3.60 nm之间,尺寸分布基本呈高斯型. 相似文献
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立方相KNb0.77Al0.23O2.77的水热合成与输运性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用水热法合成了立方相KNb0.77Al0.23O2.77通过调整初始铌源和反应介质的KOH浓度,还得到了正交相钙钛矿和一新相化合物.立方相产物采用XRD、DSC和XPS进行表征.低于1000℃的热处理不能导致立方KNb0.77Al0.23O2.77发生结构相变.阻抗谱测量结果表明,离子输运机制归属于小极化子.而正交的同组分样品结构不稳定,在高温发生结构相变,导致电导率不连续.水热法得到的立方KNb0.77Al0.23O2.77可望成为新一代电解质材料. 相似文献
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在240℃水热体系中首次合成出系列纳米晶固溶体(CeO2)1-x(BiO1.5)x(x=0.0~0.50).产物采用X射线衍射,扫描电子显微镜和X射线光电子能谱仪进行表征.Bi2O3在CeO2中的固溶限约为50%.所有固溶体结晶属立方萤石结构,粒度范围为10~18nm.当Bi2O3掺杂量小于固溶限时,于800℃烧结不会导致结构转变.而对于(CeO2)0.5(BiO1.5)0.5,于800℃在空气中烧结将导致固溶限降低.Bi2O3含量低于固溶限时,固溶体只具有体电导,而(CeO2)0.6(BiO1.5)0.4的总电导可分为体电导和晶界电导.体电导为氧离子,而晶界为来自电极的银离子. 相似文献
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采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1:1.01-1:1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了数据拟合.利用荧光光谱分析了薄膜的光致发光,结果表明在波长为395nm的激发光下,487nm的发射峰对应着闪锌矿型ZnSe的带边发射,同时也观测到薄膜中ZnSe晶体增强的自由激子发射及伴随着ZnSe晶体缺陷而产生的辐射发光. 相似文献
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实验发现当一束较强的抽运激光(526nm)与一束较弱的探测激光(6328nm)相交通过非线性 介质薄膜(聚吡咯甲烯/聚乙烯醇薄膜)时,在探测光束的远场产生了中心为亮斑,近场中心 为暗斑的多个同心衍射环.从菲涅耳-基尔霍夫衍射积分公式出发,理论分析了产生这种现象 的原因是抽运光在非线性介质中诱导的相位孔对探测光的衍射效应.通过数值积分,计算结 果与实验结果符合.
关键词:
聚合物非线性光学薄膜
抽运-探测
激光诱导衍射 相似文献
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一种提高SiO2凝胶玻璃中ZnSe纳米晶稳定性的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
半导体纳米品材料具有很大的应用潜力,然而非氧化物半导体纳米晶在空气中通常不稳定.因此其应用受到限制.纳米品不稳定主要是因为其表面原子配位不足,存在大量的悬空键,d使其很容易与环境中的物质发生反应而逐渐变质.人们通常采用惰性介质包覆的方法来提高纳米晶的稳定性, 相似文献
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