Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱

C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1％铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。     

MgB2交流响应teff的电流效应

本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.     

溴分子[^2Π3／2]4d里德堡态的转动谱的计算模拟

对溴分子在６８８００－７２００ｃｍ＾－１范围内的两个被观察到的［＾２Π３／２］４ｄ偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟，确定了转动常数，并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。     

Effects of Substrate Temperature on Helium Content and Microstructure of Nanocrystalline Titanium Films

Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition＇parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of （002） crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of （100） crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening.     

SO^-（^2B1）离子的结构与势能函数

用二次组态相互作用方法，在6-311G(d)基组水平上对SO2^-离子进行了理论计算，得到了它的结构、能量、谐振频率和力学性质，其结果与实验值符合得非常好．在此计算的基础上，应用多体展式理论方法推导出SO2^-离子的解析势能函数，该函数正确反映了SO2^-离子的结构特征和能量变化．     

对称半导体光放大器马赫—曾德尔干涉仪解复用器的开关特性分析

分析以以半导体光放大器（SOA）为基础的对称马赫－曾德尔干涉仪（MZI）解复用器在控制脉冲和信号脉冲反向传播（CPMZ）与同向传播（TPMZ）两种工作模式下的开关特性。研究表明：控制脉冲宽度、半导体光放大器的长度和非线性增益压缩影响着控制脉冲和信号脉冲反向传播开关窗口的大小，是限制控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作的主要因素。当控制脉冲宽度小于半导体光放大器的渡越时间时，如时延量小于于两位的半导体光放大器渡越时间，控制脉冲和信号脉冲以向传播的峰值开关比开始恶化；当控制脉冲宽度超过半导体光放大器的渡越时间时，即使时延量大于两倍的半导体光放大器滤越时间，峰值开关比也出现恶化。因此当控制脉冲和信号脉冲反向传播高速工作时，控制脉冲应尽可能窄，且时延量必须大于两倍的半导体光放大器渡越时间以确保有较高的峰值开关比，而半导体光放大器长度效应对控制脉冲和信号脉冲同向传播的影响甚微。     

Ca+-Pyridine络合物的光解反应

使用反射式飞行时间质谱仪,得到 Ca~ -pyridine 络合物在412～ 690nm 的光解谱.从谱图可见,反应有两个通道,一个是 Ca~ 与 pyridine 分子解离开的非反应淬灭过程,这个通道在所有波段都有,且占优势；生成产物 Ca~ NH_2的通道不仅所占比例小,且在530～590nm 波段关闭. 作为激光波长函数的 Action spectrum 显示出明显的峰,对应于络合物的跃迁.反应的分支比也支持了光解谱图的结论.     

低能N+离子注入对加工番茄的辐照效应

本研究以87-5制罐番茄种子为处理材料,用N 离子作为诱变源,以35keV的能量,分别以20次、40次、50次、60次脉冲,注入剂量2×1016N /cm2、4×1016N /cm2、6×1016N /cm2、10×1016N /cm2进行激发诱变,变异显著.表现为出苗率降低,座果提前.在果实的品质性状变化不大情况下,座果数明显增加,部分处理材料的产量明显提高.     

V型系统中自发辐射相干效应对无反转粒子数激光产生条件的影响

本文从理论上讨论了自发辐射相干效应 (Spontaneously Generated Coherence, 简记为SGC) 对V型原子中无反转激光 (Lasing Without Inversion, 简记为LWI) 产生条件的影响.在V型原子中,当其上两个能级为简并或近简并能级时 (如Zeeman分裂能级),会出现SGC效应.研究表明,在SGC效应起作用的情况下,无需外加非相干泵浦场或者两上能级间的粒子数的衰减,也能实现LWI.然而,在产生LWI的区域中,SGC效应并非永远对产生LWI作正的贡献,在某些区域SGC项甚至会削弱LWI 的产生.本文给出了产生LWI的条件,并讨论了一类新型的量子相干效应.