四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究

作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)系统,成功地制备出了四方截面的Ga N纳米线,其纳米线半径为300—500 nm,长度为15—20μm.研究发现,通过调控掺杂Mg的比例,可以实现其截面结构从三方向四方转变.通过进一步地研究Mg掺杂调控其截面结构的物理机制,提出其三方-四方截面结构的转变应该来源于其纳米线的气-液-固(VLS)生长向自催化气-固(VS)生长模式的转变.对所制备的纳米线进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱分析,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线发光峰红移至386 nm.采用所制备的纳米线进行了场发射性能研究,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线开启电场为5.2 V/μm,并能保持较高电流密度,相较于三方结构未掺杂Ga N纳米线场发射性能有一定提高,进而分析掺杂以及形貌结构对Ga N纳米线场发射的影响机制.研究结果不仅给出了一种四方结构Ga N纳米线的制备方...     

光电校靶中捷联惯导轴线的表征校准方法

光电校靶采用捷联惯导系统,需将惯导轴线用光电自准直系统表征捷联,用于对设备轴线的测量.光电自准直系统所表征的轴线与惯导轴线的一致性是影响校靶精度的重要因素,为提高光电校靶系统测量精度和效率,提出了一种惯导轴线的光电表征和校准方法.该方法是在分析测量结果偏差与一致性关系的基础上,采用实验数据拟合的方式得到自准直系统光轴与...     

Al2O3衬底无催化剂生长GaN纳米线及其光学性能

采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质量良好的GaN纳米线.研究表明,生长温度可显著调控GaN纳米线的形貌,当反应温度为950℃时,生长出的GaN微米片为六边形;当反应温度为1000℃时,生长出了长度为10-20μm的超长GaN纳米线.随着反应时间增加, GaN纳米线的长度增加. GaN纳米线内部存在着压应力,应力大小为0.84 GPa.同时,也进一步讨论了GaN纳米线无催化剂生长机制. GaN纳米线光致发光结果显示, GaN纳米线缺陷较少,结晶质量良好,在360 nm处有一个较为尖锐的本征发光峰,可应用于紫外激光器等光电子器件.本研究结果将为新型光电器件低成本绿色制备提供一个可行的技术方案.     

一维变换与二维变换的等价问题

一、引言定义1 设X是NM维向量(或长为NM的序列),当且仅当N×M维矩阵(X)的元素有 (1) 时,称[X]为X的矩阵表示,反之称X是(X)的向量表示。定义2 设矩阵(X)是X的矩阵表示,矩阵[R]、[P]、[Q]分别是NM×NM,N×N、M×M阶,作变换 (2)     

A simple method to synthesize worm-like AlN nanowires and its field emission studies

The worm-like AlN nanowires are fabricated by the plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on Si substrates through using Al powder and N₂ as precursors, CaF₂ as fluxing medium, Au as catalyst, respectively. The as-grown worm-like AlN nanowires each have a polycrystalline and hexagonal wurtzite structure. Their diameters are about 300 nm, and the lengths are over 10 μm. The growth mechanism of worm-like AlN nanowires is discussed. Hydrogen plasma plays a very important role in forming the polycrystalline structure and rough surfaces of worm-like AlN nanowires. The worm-like AlN nanowires exhibit an excellent field-emission (FE) property with a low turn-on field of 4.5 V/μm at a current density of 0.01 mA/cm² and low threshold field of 9.9 V/μm at 1 mA/cm². The emission current densities of worm-like AlN nanowires each have a good stability. The enhanced FE properties of worm-like AlN nanowires may be due to their polycrystalline and rough structure with nanosize and high aspect ratio. The excellent FE properties of worm-like AlN nanowires can be explained by a grain boundary conduction mechanism. The results demonstrate that the worm-like AlN nanowires prepared by the proposed simple and the PECVD method possesses the potential applications in photoelectric and field-emission devices.     

MoO3的水热法制备、表征及储锂性能

以钼酸钠和水杨酸钠为原料,通过水热法合成了MoO3.借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对材料的结构和形貌进行表征,采用电化学工作站和充放电仪对电池的电化学性能进行测试.研究结果表明:在180 ℃下水热反应12 h制备得到六方相MoO3(h-MoO3)纳米块相较于在180 ℃下水热反应24 h制备得到正交相MoO3(α-MoO3)纳米片的电化学性能更佳.当h-MoO3 作为锂离子电池负极电极材料时,其首次放电比容量为2068.1 mAh/g.在电流密度为50 mA/g下循环50次后,其放电比容量仍然高达946.4 mAh/g,这归因于h-MoO3较小的电化学转移阻抗.     

Influence of inherent error of fiber-optic image inverter on application北大核心CSCD

The low-level-light image intensifier is an important photoelectric detection and imaging device in the field of night vision, and it is widely used in head-mounted display, hand-held observation and night aiming. The super-second-generation inverted image low-level-light image intensifier with fiber-optic image inverter is widely used in the night aiming system. According to the requirement of practical application, the influence of turning angle error and snake-shaped distortion in the inherent error of inverted image low-level-light image intensifier on the measurement error of aiming and stroke difference in application was analyzed. The analyses show that when the image turning angle error is less than 30' and the snake distortion is less than 30 μm, it can meet the requirements of close-range aiming and measurement of stroke difference. A detection device was developed to control the error, which solved the problem and put forward the relevant quality control points for the production and manufacture of image intensifiers for this kind of application. © 2022 Editorial office of Journal of Applied Optics. All rights reserved.     

基于深度强化学习的无人机矿井自主巡航研究

针对目前矿井传感器所收集数据的传输效率差、实时性低、丢包率高等问题,提出了一种基于深度强化学习的无人机矿井自主巡航解决方法,以有效收集物联网节点数据。该方法以无人机作为传输中介,根据矿井物联网节点数据生成周期性的不同差值,利用强化学习TD3(Twin Delayed Deep Deterministic policy gradient algorithm)算法实现无人机最优路径规划。同时算法考虑并设计了符合矿井实际场景的环境、奖励值、状态信息等。提出了一种预测等待的方法,预测待采集数据产生时间并确定目标节点,无人机在信号覆盖范围内前往目标节点提前等待,以实时获取矿井传感器的生成数据。实验结果表明,无人机能够自主决策实现最优路径规划,并收集节点数据;在训练回合为700时,奖励值达到峰值,算法达到收敛并具备优异的表现。     

电子背散衍射花样的数学特征

电子背散衍射(EBSD)花样揭示了材料的物相成分、晶体结构、晶粒取向、晶粒大小和晶界的信息。EBSD花样非常复杂,通常需要借助专门的计算软件才能解析。本文系统地研究了EBSD花样的数学特征,建立了任意晶体取向与EBSD花样之间的数理关系,推导了面心立方、体心立方和六方晶体的基本晶带轴的理论EBSD花样的数学特征,以及面心立方晶体的(001)<110>取向和(001)<100>取向的理论菊池(Kikuchi)花样特征。在实测EBSD花样的分析中与各晶系各点阵的基本晶带轴的理论EBSD花样特征比较,即通过图像特征对比,就可以直接确定实测EBSD花样所属的晶系、点阵和Kikuchi线交点对应的晶带轴[uvw],再由基本晶带轴的坐标计算出晶体取向,还能提供基本晶面信息,如原子密排晶面在样品中的空间分布,这有利于晶体的变形或生长机理研究。EBSD为单晶芯片质量检验提供了新方法。     

超微载体

从组成、结构、性能、制备方法及其应用等方面介绍了5种超微载体,其中包括微乳液、微胶囊、球形液晶、脂质体和纳能托.