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1.
空间l p(G ) (p>1)的单位球面间等距算子的延拓   总被引:8,自引:0,他引:8       下载免费PDF全文
定光桂 《中国科学A辑》2002,32(11):991-995
首先得到l p(G ) (p>1, p≠2)单位球面之间(满)等距算子的表现定理, 然后利用作者过去一个结果导出: 上述算子均可延拓为全空间上的(实)线性等距算子.  相似文献   
2.
全光纤反射式马赫曾德尔干涉型多波长滤波器的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
对反射式的马赫-曾德尔干涉型多波长滤波器的性能作了较详细的研究,得出了两个耦合器的分光比和两臂的臂长差对其输出谱线的影响,结论对设计制作不同性能指标的该型多波长滤波器具有重要的参考价值。实验上用光纤熔融拉锥法制作了该种器件,实验结果与理论相符合。  相似文献   
3.
We investigate the two methods of defining the surface gravity ,κ on the horizon, which are the metric definition and the definition given by the spacetime conformal method. It is found that the latter is of greater generality. By this method, we find that ,κ of η- ξ spacetime is equal to the exponent factor α in the coordinate transformation, which confirms the argument that η- ξ spacetime can be considered as the background spacetime for finitetemperature field theories. The reasons why the metric definition of ,κ can not be applied in η- ξ spacetime are presented.  相似文献   
4.
本文并从磁通守恒方程出发,详细求导了Slab样品(厚度为d)交流磁化率的测量方程,并以MgB2为例,测量了在不同外场H和交流信号的频率γ交流磁化率,求得Ueff和J的关系实际上是满足Zeldov关系,实验结果和理论假设完全自洽.  相似文献   
5.
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.  相似文献   
6.
带干扰的Erlang(2)风险模型的不破产概率   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文讨论了带干扰的Erlang(2)风险模型,通过构造一个延迟更新过程,我们得到了不破产概率满足的积分-微分方程,进而得到了不破产概率的明确表达式.  相似文献   
7.
Tunable dual wavelength erbium-doped fiber laser (EDFL) with stable oscillation at room temperature is proposed and demonstrated. This laser utilizes a Bragg grating fabricated in a high birefringence fiber as the wavelength-selective component, and then achieves the stable dual wavelength oscillation by introducing the polarization hole burning effect. Furthermore, by applying lateral strain upon the fiber Bragg grating (FBG), the space of the laser dual wavelengths can be tuned continuously.  相似文献   
8.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能. 关键词: 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡  相似文献   
9.
测定了高导电性ML(TCNQ)n盐的ESR谱和变温磁化率数据,结果表明,在某些ML(TCNQ)_3中存在电子由[ML]~(2+)至(TCNQ)_8~(2-)的转移,使之成为n-型半导体。  相似文献   
10.
β—环糊精键合固定相的制备和评价   总被引:6,自引:0,他引:6  
黄天宝  吴邦桂 《分析化学》1991,19(11):1257-1260
  相似文献   
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