合成金刚石与合成体系之关系

 通过各种材料的试验和压机设备因素的测定，总结了金刚石生长过程的特性：金刚石晶体是在石墨（G）-触媒（Me）界面上生长；因电阻R_(G)>R_(Me)、温度T_(G)>T_(Me)以及与外界热交换等原因，使合成腔内产生压力、温度梯度，成为金刚石生长之驱动力。梯度过大过小对金刚石生长均不利；金刚石晶体在G-Me界面两侧是非对称性生长；每个晶粒表面有一特殊结构约20 μm左右厚的金属薄膜，它起到运载碳源和催化的双重作用。要合成粗粒高强金刚石，需要有一个稳定的合成体系。本文分析了该体系状态的性质及稳定的必要性与稳定的具体方法。     

粗粒金刚石的生长及热力学条件的确定

 在石墨─金刚石单组分的两相平衡图理论基础上，从热力学理论观点出发，研究了形成金刚石晶体粒度和晶质的区域分布特征。重点论述粗粒高强金刚石晶体生长区域及热力学条件。以此为理论指导，进行生产试验，获得较好效果。