射频阱中C^＋n（n=3,4,5）同O2的化学反应

利用激光溅射的方法，在射频离子阱中产生并囚禁了Ｃｎ＾＋（ｎ＝３，４，５）进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点，在其中开展了Ｃ＾＋ｎ同Ｏ２的化学反应研究，得到了反应物的速率常数和反应产物分支比，根据热化学计算，分析了反应进行的主要通道。     

τ_(T,L)型概率赋范空间的线性拓扑性质

本文通过引入与τ_(T,L)协调的实数与分布函数的⊙_L乘法,修正了τ_(T,L)型PN空间的定义,讨论了这类PN空间的线性拓扑,证明了一定条件下的可赋可列拟范性。 一、引言 为了节省篇幅,我们不加说明地沿用[1]的术语和符号。 Serstnev首先提出了概率赋范(简称PN)空间的概念。三元组(V,v,τ)称为PN空     

齐型空间上的分数次极大算子的加权弱型不等式

设(X,d,μ)是 Coifman-Weiss 意义下的齐型空间,0≤α<1.定义 α阶分数次极大算子(?)~αf(x,t)=(?)1/(μ(B(x,r))~(1-α))∫_(B(x,r))|f(y)|dy.本文的目的有二:其一是将[3]、[4]中关于(?)~α 的加权弱型结果推广到齐型空间;其二是对限制增长的 Young′s 函数Φ,得到(?)~α 的弱型加权 Φ-不等式.     

光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

利用珠心算区角活动 发展幼儿的计算能力

以前我们开展珠心算教学较多地采用集体教学或分组教学，取得了一定的效果。但随着我们教育观念的不断更新，面向全体、注意个体差异等教育思想被广大教师所理解和重视．由此，我们更多地关注那些有特殊要求的幼儿。在这样的思想驱使下，我们开始尝试如何利用幼儿园的区角活动进一步延伸和拓展珠心算教学，更好地培养幼儿的综合能力。     

一般两速离散lllner模型的1＋1维精确解

ｌｌｌｎｅｒ模型是最一般的Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方程的两速模型，它包括Ｃａｒｌｅｍａｎ模型和ＭｃＫｅａｎ模型作为两种特殊情形。离散ｌｌｌｎｅｒ模型１＋１维精确能够以一种简洁的方式进行研究，前人的结论需要修正。我们得到了一类新的１＋１维精确解，这给出了研究类似的离散Ｂｏｌｚｍａｎｎ方程精确行波解的一般方法。     

RICE CONDITION NUMBERS OF CERTAIN CHARACTERISTIC SUBSPACES

This paper proposes the Rice condition numbers for invariant subspace, singular sub-spaces of a matrix and deflating subspaces of a regular matrix pair. The first-order perturbation estimations for these subspaces are derived by applying perturbation expansions of orthogonal projection operators.     

功能性丙烯酸/MBAM体系共聚产物的研制

以丙烯酸和MBAM为主要原料，经聚合，合成了一种高性能的具有良好保水性能的聚合产物，其保水量达到750～1000倍．50℃以下有良好的保水性能，28℃以下有极好的保水性能，并研究了工艺条件对该产品性能的影响因素．