不同剂量C离子注入Si单晶中Si1-xCx合金的形成及其特征

室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si_1-xC_x合金,研究了不同注入剂量下Si_1-xC_x合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si_1-xC_x合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si_1-xC_{x 关键词： 1-x}C_x合金')" href="#">Si_1-xC_x合金 离子注入 固相外延     

锑化铟的热处理

本文叙述N型InSb单晶和含有大晶粒的双晶样品(n～1.23×10¹⁴—2.40×10¹⁵cm^-3,μ_e～5.15×10⁵cm²/V·sec—2.10×10⁵cm²/V·sec),在500℃下、不同气氛中进行热处理产生受主,引起热转换,而整块地变为P型样品,当继续热处理使温度达到熔点以上时,这种P型样品中的热受主消失了,而转变回到原来的N型样品;若把这种N型样品再在500℃下进行热处理,则它又整块地变为P型样品。我们对这一新发现的过程进行了一些研究,发现这种现象与材料的不同制备条件和热处理时的环境气氛不同有关,并对不同气氛下的循环热转换过程和熔化效应作了论述。在500℃下进行热处理所引起的热受主浓度与热处理时间的关系中,发现在热处理起始的一段时间内,热受主形成速率较大;随着热处理时间的增加,热受主浓度达到一个饱和值;若再加长热处理时间,则热受主浓度开始下降,这现象与硅的热处理现象相似。根据实验得到的新结果进行分析,认为这种热处理现象不象是外来因素的影响所引起的,而是一种原来存在于InSb中的内在因素所起的作用,推测可能是与氧和氢有关。最后我们对解释这种热处理现象的可能的机理进行了探讨。     

预注入对Si1-xCx合金形成的影响

室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入²⁹Si⁺离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_1-xC_x合金,研究了预注入对Si_1-xC_x合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_1-xC关键词： 离子注入 固相外延 1-xC_x合金')" href="#">Si_1-xC_x合金     

高质量氮化镓材料的光致发光研究

利用氨气源分子束外延（GSMBE）技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。     

INCREASING THE PHOTOLUMINESCENCE INTENSITY OF Ge ISLANDS BY CHEMICAL ETCHING

Self-assembled Ge islands were grown on Si(100) substrate by Si₂H₆-Ge molecular beam epitaxy. After being subjected to chemical etching, it is found that the photoluminescence from the etched Ge islands became more intense and shifted to the higher-energy side compared to that of the as-deposited Ge islands. This behaviour was explained by the effect of chemical etching on the morphology of the Ge islands. Our results demonstrate that chemical etching can be a way to change the luminescence property of the as-deposited islands.     

半导体材料发展的现况和趋势

一、概述半导体材料的发展是由于器件的需要,但另一方面,由于半导体新材料的出现,推动了新器件的出现。近两年来,由于化合物半导体材料试制的进展很快,而用化合物半导体制造器件的研究工作也逐渐多起来。由于半导体电子器件的品种逐年增加,用途亦各不相同,因而对材料的要求也就不同了。近年来电子器件发展     

深切怀念敬爱的周总理

今天,我怀着深切怀念和万分崇敬的心情,参加我院隆重纪念周总理逝世一周年大会.一年前,我们敬爱的周总理,为中国革命和世界革命事业,呕尽心血,帜劳成疾,和我们永别了.我党、我军、我国人民失去了卓越的、久经考验的领导人,全党、全军、全国人民都为矢去了自己的好总理而沉浸在无比的悲痛之中. 一九七六年一月十一日,我去向敬爱的周总理遗体告别,望着周总理安祥、坚毅、对未来充满着必胜信念的遗容,我心潮翻滚,思绪万千.总理啊!您为革命、为祖国的建设和人民的幸福献出了毕生精力和整个生命,您用您光辉的、革命的、战斗的一生,为中国革命和世…     

预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响

室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 .如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量 ,在 95 0℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成Si1 -xCx 合金 ,预注入形成的损伤有利于合金的形成 .随着C离子剂量的增大 ,注入产生的损伤增强 ,预注入反而不利于Si1 -xCx 合金的形成 ,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时 ,预注入的影响可以忽略 .退火温度升高到 10 5 0℃ ,无论预注入还是未预注入样品 ,C含量低的合金相仍然保留 ,而C含量高的合金相大部分消失 .     

沸石分子筛中半导体量子纳米团簇的组装及应用前景

在沸石分子筛中可以形成稳定的、分子尺寸的半导体团簇。这类团簇具有单相性、均匀性好的特点，并可形成三维量子超晶格结构。本文简单介绍沸石分子筛的结构及反应性之后，对团簇的组装技术及表征方法进行了详细的讨论，对半导体团簇的特征、性质反应用前景进行了较系统的论述。并指出了这类团簇材料应用存在的问题及发展方向。     

聚合物改性水玻璃均相杂化液对速生杨木的改性

将丙烯酰胺单体在钠水玻璃溶液中聚合制成水玻璃-聚丙烯酰胺均相杂化液,通过浸渍法使杂化液与速生杨木材复合,制成无机/有机木材复合材。SEM、FT-IR表征了速生杨木与杂化前驱液复合前后的结构和形貌变化,研究了复合木材的热稳定性及力学性能的变化,结果表明,用该均相杂化液改性的复合木材WPG为31.6%时,其氧指数为50.3%;并且与素材的力学性能相比,复合木材的抗弯曲强度较素材提高了11.2%,弹性模量提高了18.2%,其径面、弦面和端面的硬度分别提高了15.6%、17.3%和26.2%。