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采用高温固相法获得了一种只具有 微弱余辉的新型电子俘获型光存储材料Sr2SnO4:Tb3 +, Li +. 发光性能研究结果表明: 该材料对980 nm的红外激光具有很好的上转换光激励信息读出响应, 同时292 nm紫外光为其最佳信息写入光源. 光存储性能研究结果表明: 该材料的浅陷阱较少, 因此其余辉发光很弱, 不到500 s; 另一方面, 该材料中存在大量的深蓄能陷阱. 因此, Sr2SnO4: Tb3 +, Li+是一种具有较好实际应用价值的新型电子俘获型光存储材料. 此外, 还讨论了Sr2SnO4: Tb3 +, Li+的光存储发光机理. 相似文献
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