掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er³⁺中⁴I_13/2到⁴I_15/2光跃迁在T_d晶场下的分裂.Er³⁺的第一激发态⁴I_13/2最低能量的两个Stark能级为Γ₈，Γ₆(能量递增)，它们到基态⁴关键词：     

ELECTRO-LUMINESCENCE AND PHOTO-LUMINESCENCE FROM STRAINED SiGe/Si QUANTUM WELL

Photo-luminescence and electro-luminescence from step-graded index SiGe/Si quantum well grown by molecular beam epitaxy is reported. The SiGe/Si step-graded index quantum well structure is beneficial to the enhancing of electro-luminescence. The optical and electrical properties of this structure are discussed.     

溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶－凝胶,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料;用该凝胶在硅片上提拉成膜.为了增加薄膜与硅片的粘附性,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为1500的二氧化硅;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整,在5×5 μm2的范围内最大表面起伏只有0.657 nm.利用波导阵列掩膜版, 对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.研究发现:紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.通过对样品红外吸收谱的分析,从微观机理上解释了折射率随工艺条件变化的原因.     

阵列波导光栅解复用器输入/输出波导结构串扰的数值分析

本论文采用Marcatili方法分析矩形波导的模场特性,在此基础上计算了AWG波分复用/解复用器串扰与输入/输出波导间隙参数(dr/w),波导结构参数V的变化关系.计算了串扰值一定时,选取V参数与dr/w的关系曲线.分析了在不同折射率差波导中,串扰与偏振的相关性,为器件的整体优化设计提供了参考数据.     

硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析

从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲径对器件偏振特性的影响,得出结论：小折射率差的正方形波导的双折射系数小;内应力对双折射的影响比几何参数大;弯曲半径较小时,双折射系数较大,弯曲损耗也较大。     

(113)面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌,测量了其原生及退火后低温下的光荧光谱.对所得结果进行了分析. 关键词：     

用于Si基RCE光电探测器SOR衬底的研制

随着波分复用技术的发展，共振腔增强（RCE）探测器由于具有波长选择特性和高和量子效率得到重视和发展。本文报道了采用智能剥离和溶胶－凝胶方法研制出一种可用于Si基RCE光电探测器SOR衬底。得到表面是单晶Si膜且具有高反向率的Si基片。设计和模拟了基于该衬底的SiGeRCE光电探测器，结果表明该结构可以大幅度提高Si基探测器的量子效率。