功率晶体管的发射极设计

本文讨论功率晶体管设计中设计发射极时所需考虑的两个问题。一个是在给定的注入条件下如何保证足够大的电流放大;另一个是如何提高发射极发射电流的有效面积。文中着重分析在各种注入条件下发射结面上发射极电流密度的分布,亦即所谓基区电阻自偏压截止效应,最后给出主要结论。     

一种寻找具有多项式因子的本征函数的位势的方法

本文以Schrdinger方程为例给出一种寻找具有多项式因子的本征函数的位势的方法,表明原量子力学中的谐振子势和库仑势的本征解是可由本方法给出的二个例子.本方法及结果对强子结构模型理论有一定参考价值,例如文献[4]中的那个在分析紧束缚于某种势阱中的层子的场合下从 Bethe-Salpeter 方程近似导得的微分方程,当以三维球对称势V（r）=V₀—2（N+（1/2））β^-1（?）+（?）代入并用本方法解之时,某些计算结果如图2所示,图中,λ′须理解为介子质量平方 m²的线性函数,显示出某种“准 Regge 轨迹”行为.     

双扩散晶体管的基区渡越时间和注射效率

本文简要介绍在对扩散杂质分布作了近似之后（在发射区和基区漂移场加速区中近似为指数型分布,而发射结区和基区漂移场减速区中近似为线性分布）,计算了双扩散晶体管的基区输运系数、基区渡越时间和注射效率．在讨论中着重指出,为了减小基区渡越时间以提高频率性能,应该如何全面考虑．