P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量

用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga1-xInxAsyP1-y/InP(x=0.74,y=0.61)的少子扩散长度Im,并对这二种测试结果进行了比较,结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6-7×104cm/s,扩散长度Lm为1.6～2.2μm。此外对p-Gε1-xInxAsyP1.y与InP衬底间的少数载流子行为进行了讨论。     

InGaAsP/InP边发光管特性的研究

用液相外延技术生长的外延片,制成了SiO2条形限制的InGaAsP/InP边发光管,100mA下光功率1mW,最高值1.3mW,发射波1.31μm,半宽860A。研究了外延材料特性(如p-n结位置,有源层厚度和浓度)对器件光功率,光谱特性,和Ⅰ-Ⅴ特性的影响。有源层厚度(d)对光功率和光谱半宽有重要影响,p-n结不偏位的器件,光谱特性为单一的长波长发射蜂,具有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。p-n偏离有源层的器件,光谱特性除长波长发射峰外,尚有9700A的InP发射峰,其Ⅰ-Ⅴ特性具有异常特性,导通电压>0.9V。     

光吸收法检测GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结液相外延片的室温禁带宽度

用双光束分光光度计测定了GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度,并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极荧光法对照。说明光吸收法简便、迅速、可靠。可对液相外延质量提供一定的评价。