掺硫和在不同温度下InP的正电子湮没研究

用正电子湮设方法研究了掺硫的InP载流于浓度(n)、迁移率和温度对空位浓度的影响,并讨论了它们对空位浓度影响的机理.探讨了空位类型.     

嵌段共聚物溶液胶束温度行为的郑电子湮没研究

用正电子寿命技术研究了聚苯乙烯—二甲基硅氧烷／正庚烷二嵌段共聚物溶液胶束的温度行为．结果表明正电子湮没参数对溶液中出现的结构和微观环境的变化十分灵敏．在一定的温度范围o-Ps寿命和强度的陡然变化反映了溶液中共聚物分子聚集态随温度经历不同阶段的变化，超过临界胶束温度o-Ps寿命随温度增高而迅速地增大，这一行为反映了分子聚集体解离成自由共聚物分子的过程．     

掺杂Na+的KC1色心激光晶体的正电子湮没研究

本文用正电子湮没方法研究了在掺Na⁺条件下,单纯、附色和γ射线辐照的KC1单晶的湮没寿命以及Doppler展宽S参数与掺Na⁺量的关系.结果表明掺Na⁺量为800ppm的KC1单晶空位浓度最小,为4.24×10¹⁷/cm³,它接近于纯KC1晶体的空位浓度.在附色的KC1晶体中存在明显的F心.S参数主要是受卤族阴离子外层电子的影响.此外还掺Na⁺的KC1单晶正电子湮机制进行了讨论.     

用正电子湮没方法研究快离子导体

本文用正电子湮没方法研究了作为快离子导体的LiF-LiCl-B₂O₃,LiF-B₂O₃新体系。发现正电子湮没的中间成分的强度I₂与材料的电导率logσ之间有直线关系。配合湮没线形参数的测定结果,表明在微晶态三元体系LiF-LiCl-B₂O₃中,微晶与网络之间的晶界空位为锂离子传导提供了更多的导电通道,致使这类材料具有更好的导电性。 关键词：