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RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30-40K的超导体,其合成的主要问题是,在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成,本文报道了合成RuSr2GdCu2O8(Ru-1212相)纯相的新方法,即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6(Ru-211相)先驱物,然后Sr2GcRuO6与CuO高温烧结,生成RuSr2GdCu2O8。合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为,该体系的超导转变与生成的杂相有关。 相似文献
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制备了Sm2-xCexCuO4的多晶样品.X-射线粉末衍射结果表明,该系列样品为K2NiF4214结构,当0.090.17时,为T'相.电阻率测量在0.15,0.17,0.19样品上观测到超导转变.最高Tc对应于x=0.17为13.6K,均远低于(Pr0.8La1.2)1.85Ce1.2CuO4 的超导转变温度(30K).这是由于该系列样品在远高于超导转变温度时就存在更强的载流子局域化效应.磁化率测量结果表明x=0.17的样品为体超导.该体系样品的Tc低、抗磁信号小与载流子的强局域化效应有关.热电势测量结果表明,在最佳超导组份附近斜率改变符号,欠掺杂区域载流子为电子型,过掺杂区域载流子为空穴型. 相似文献
3.
用X-射线粉末衍射、交流磁化率和差分比热研究了Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy的氟掺杂效应。在Bi2223样品中氟替代后产生的是体超导而不是丝状超导。由于氟掺杂,样品的超导转变温度升高而晶格参量c减小。比热反常的幅度没有因氟掺杂而减小,说明氟没有占据Cu-O2面中氧的位置。它们可能占据Cu-O2面之间的其它原子层的位置,这样,会改善Cu-O2面间的藕合进而提高Tc和保持比热反常幅度。 相似文献
4.
本介绍一种新的 差分比热测量方法即差分绝热连续加热量热法。此方法的特点是在绝热的条件下连续升温,升温速率由计算机通过样品架和参考样品架上的主加热器来控制(可事先设定),样品和参考样品间的温差信号经放大后由702控温器控制样品架和参考样品架上的副加热器,使其温差在测量过程中总是保持为零。差分比热值是通过同时测量样品升温速率和副加热功率来获得的,绝热条件是计算机控制内外两层辐射屏跟踪样品温度来获得。 相似文献
5.
测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型
关键词:
电子型超导体
热电势
赝能隙 相似文献
6.
用SQUID直流磁强计研究了La(1.85)Sr(0.15)Cu(1-x)FexO(4-y)(x=0.002,0.004和0.006)多晶样品在不同磁场下(H=0.01,0.03,0.05T)正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.实验结果表明,不掺Fe的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为,随着Fe掺杂的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度也由不掺Fe的31.0K增加到33.6K(x=0.002),然后再单调降低.这清楚地表明,载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Fe的样品,其正常态直流磁化率X与温度T的关系可以用X=a+bT+c/(T一T0)很好地表示.我们认为,式中a+bT项是由于Cud带泡利硕磁的贡献.增加磁场时,对于同一个接Fe样品,居里常数C增大而常数项a减小.这是由于掺Fe的样品在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbrd带),它是产生居里硕磁的原因.增加磁场时,它往高能量方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的Cu杂化带.这样一来,增加磁场时,每个Cu离子的磁矩增大.而Cud带的Fe 相似文献
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Study on the in—plane electrical resistivity and thermoelectric power in single crystals of La2—xBaxCuO4 下载免费PDF全文
The in-plane electrical resistivity and thermoelectric power have been measured on single crystals of La2-xBaxCuO4 at around x=0.125. The room temperature resistivity and thermopower have their maximum values at x=0.125, indicating that the carrier concentration is the minimum and the carriers are most strongly localized at x=0.125. The observed semiconductor-like behaviour can be well described by the weak-localized quasi-two-dimensional state. The steep rise in electric resistivity of the sample at x=0.125 below 70K is attributed to the formation of static stripe-order of holes and spins, which are pinned by the low-temperature tetragonal (LTT) structure, as discovered in La1.48Nd0.4Sr0.12CuO4. The temperature dependence of electric resistivity below 70K is still well described by the formula ρ∝ lnT. A definite change in the slope of thermopower is observed at the low-temperature orthorhombic-LTT structural phase transition temperature. The origin of the 1/8 anomaly is discussed in the text. 相似文献
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研究了La2-xSrxCu1-yFeyO4(x=0.13,0.15,0.17和y=0.0,0.002,0.004,0.006)多晶样品在不同磁场下(H=1,3和5T)正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Fe掺杂含量的关系.结果表明,不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为.随着Fe掺杂量的增多,直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Curie-Weiss行为.与此同时,超导转变温度随Fe掺杂含量的变化而变化.这表明载流子浓度是影响超导的重要因素.对Fe掺杂样品,其正常态直流磁化率与温度的关系可以用X=a+bT+c/(T-T0)很好的表示.我们认为,其中a+bT项是带Pauli顺磁的贡献.对同一掺Fe样品,增加外磁场时,居里常数c增大而常数项a减小.这是由于在Fermi面存在不满的窄带(dx2上Hubbard带),它是导致居里顺磁的原因.增加磁场时它往高能方向移动,窄带的电子空得更多,这些电子移向较宽的杂化带,导致每个Cu离子的磁矩增大,而带的Fermi面电子态度减小.我们的实验结果也表明,超导电性与能带结构密切相关. 相似文献
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