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为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显著降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10~300 K)的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531 nm左右红移至579 nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善。 相似文献
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采用Runge-Kutta法和多尺度法对轴向运动分层复合材料薄壁圆柱壳的非线性振动特性进行了研究.首先根据层合壳理论建立轴向运动分层复合材料薄壁圆柱壳的波动方程,利用Galerkin法对方程进行离散,得到相互耦合模态方程组.然后应用Runge-Kutta法分析了不同参数条件下的幅频特性曲线,得到了系统由于固有频率接近所导致的内共振现象,以及系统呈现软特性等非线性特性.最后采用多尺度法进行了系统1:1内共振时的近似解析分析,对系统在不同参数下的振动研究表明,激振力幅值、阻尼、速度等参数对位移响应幅值、共振区间、模态间的耦合度及系统软特性程度均有影响,其结论与数值计算结果一致,并同时对解的稳定性进行了研究. 相似文献
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采用静电纺丝技术结合溶胶过程制备W(V)掺杂的PVP/(NH4)6Mo7O24·4H2O前躯体,经缓慢控温焙烧前躯体,600℃时获得结晶度良好的MoO3及Mo0.97W(V)0.03O3-δ微纳米片.通过热重-差热分析(TG-DTA)、X-射线光电子能谱(XPS)、红外光谱(FT-IR)、X-射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等表征手段研究W(V)掺杂对MoO3微纳米片晶体生长和结构的影响;以亚甲基蓝(MB)的光降解为模型反应研究其光催化性能.结果表明,热处理温度600℃时生成的Mo0.97W(V)0.03O3-δ纳米片光催化活性最好. 相似文献