单层与双层WSe2纳米片层的光致发光

采用气相沉积法制备了WSe₂二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明：随着WSe₂层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe₂层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe₂的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe₂发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe₂同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同。     

高维AdS黑洞的约化保真率/全息子区域复杂度对偶

为阐述约化保真率/全息子区域复杂度对偶在更高维情形下的推广,通过几何计算和场理论计算分析高维AdS黑洞热场双态的约化保真率(RFS)、全息子区域复杂度(HSC)和热力学体积之间的相关性,推导出RFS/HSC的对偶关系,进一步验证RFS/HSC对偶猜想在高维时空中的黑洞系统和量子系统中的适用性和有效性,阐明任一局部区域的各子系统都与整个系统具有关联映射的全息关系.