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为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO 2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜。所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜。根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV。通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小。此外,以spiro-OMeT AD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO 2太阳能电池,并获得了0.24%的光电转换效率。 相似文献
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本文研究了有机偶氮染料高分子薄膜的简并四波混频光存储特性,结果表明材料的光存储机制主要源于共振光作用下偶氮分子结构的顺反异构.实验给出了实时和永久光存储的时间常数和写入光栅的最佳功率. 相似文献
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为得到高质量的PbS薄膜,使用化学浴沉积法在40℃、50℃和60℃的低温下在包覆有TiO2层的FTO衬底上成功制备了PbS薄膜.所制备的PbS薄膜外观光滑、致密,使用X射线衍射、场发射扫描电镜、紫外可见近红外和紫外光电子能谱分析了该薄膜.根据分析结果,运用谢乐公式计算得到以上温度下制备的PbS薄膜的粒径分别为30 nm、36 nm和39 nm,且相应禁带宽度分别估算为1.58 eV、1.38 eV和1.20 eV.通过紫外光电子能谱结果计算出相应功函数分别为-4.90 eV、-4.60 eV和-4.50 eV,结合PbS薄膜的禁带宽度和功函数计算了其导带边和价带边的大小.此外,以spiro-OMeTAD作为空穴传输层,制备了PbS/TiO2太阳能电池,并获得了0.24;的光电转换效率. 相似文献
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