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对无定形多孔SrTiO3膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析.该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料.实验样品用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积SrTiO3膜并制成平面型电阻结构.结果表明,在室温下,当相对湿度从12%变化至53%时,电流缓慢下降;而当相对湿度从53%变化至92%时,电流又显著上升,即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性.电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大.吸附响应时间明显长于脱附时间.
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利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和吸湿灵敏度的关系.结果表明:当相对湿度从12%变化到92%时,在1MHz的测试频率下,电容值变化了48%.在3V偏压下,电流变化了430%,且高湿时的灵敏度比低温时高.随着膜中氧组分的增大,固定电荷密度减小,吸湿响应时间增长,电流变化率下降.文中利用等效方法确定膜中的孔隙体积比和BaTiO,成分的介电常数,建立了描述C-R
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本文对三氯乙烯(TCE)氧化推迟SiO2膜的破坏性击穿及其机理进行了研究。结果表明,随着TCE流量的增大、处理时间的增加、温度的升高和氧分压的降低,SiO2膜的击穿电流耐量增大。但过大的TCE流量和过长的处理时间,将使击穿特性变坏。结果还表明,击穿电流耐量的增大与膜内电子陷阱密度的增大有关。文中提出包括三种恶性循环在内的“低势垒点-电场增强”击穿模型,并考虑氧化气氛中的H2O对击穿特性的影响,引入电子陷阱抑制低势垒点-电场增强的作用,分析T
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利用硅平面工艺和氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积一层厚45nm的钛铌酸锶钡(Ba1-xSrxNbyTi1-yO3)薄膜,制成Al/Ba1-xSrxNbyTi1-yO3/SiO2/Si结构平面型薄膜电阻器。测试了该薄膜电阻器的吸收光谱,不同照度、电压下的光电流,调制光下的频率特性。实验结果表明:在钛酸钡中掺入锶(Sr)和铌(Nb)后,禁带内引入了杂质能级,钛铌酸锶钡禁带宽度变为2.7eV,且可见光区域存在连续的吸收峰。该薄膜在近紫外及可见光范围内具有良好的光敏特性,其灵敏度和光电导增益较高,并且具有较好的线性光照特性。光照强度较低时,电阻器的光照特性属于单分子复合过程;光照强度较高时,电阻器的光照特性属于双分子复合过程。通过对该薄膜电阻器频率特性的测量得出:在光照度为200lx时,薄膜中光生载流子的寿命为27ms。 相似文献
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