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1.
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Q
inj)的函数. 在较低Q
inj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Q
inj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.
关键词:
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2PROM
隧道氧化层
退化
恒流应力
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2.
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.
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3.
阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOI SONOS EEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
关键词:
SONOS EEPROM
SOI
辐照
能带
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