高比表面积窄孔分布氧化铝的制备研究 Ⅰ.沉淀条件的影响

 以硫酸铝液为原料，以氨水、氢氧化钠和铝酸钠为碱沉淀剂，采用pH摆动法制备了高比表面积、大孔径、窄孔分布、大孔体积氧化铝，考察了沉淀剂、沉淀温度及沉淀时酸侧pH值对氧化铝物性的影响，并对pH摆动法与等pH沉淀法的结果进行了比较．结果表明，通过改变制备参数可以获得高比表面积、大孔体积的氧化铝，当沉淀温度为70℃，pH摆动3或4次时，氧化铝的孔体积可高达1．0ml／g，比表面积仍大于300m2／g．用pH摆动法制得的样品比用等pH沉淀法制得的样品容易酸溶，对挤压成型有利．不同样品在酸溶液中的分散性表明，用氨水沉淀剂可获得相对较小的沉淀粒子．改变沉淀时酸侧的pH值，可导致沉淀粒子的结构发生变化．     

基于二次谐波产生技术的BaTiO3薄膜对称性研究

光学二次谐波产生技术是研究材料极化特性和对称性的重要工具,利用搭建的显微二次谐波产生光路,对生长在SrTiO3衬底上的BaTiO3薄膜样品进行了二次谐波产生测试.结果 表明,BaTiO3薄膜在面内方向具有二重旋转对称性.在四种偏振模式下测量了样品的二次谐波信号,结果表明,随着基频光入射功率的变化,二次谐波强度的图样也发...     

判定线性代数中矩阵相似关系的原理和方法

指出教育部考试中心2019版考研数学考试分析中关于矩阵相似试题解答中的一个错误.系统梳理了高等代数和线性代数课程中关于相似矩阵刻画的角度和方法,明确了在线性代数课程体系中3类可以作出相似判定的矩阵类别及其对应的判别方法,给出不能一般判定相似关系的第4类矩阵的基本特征,并结合实例给出在特殊情形下解决第4类矩阵相似关系判定的方法.     

SiC晶体生长中气相组分输运特性

针对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体,建立了一个二维生长动力学模型研究SiC生长腔内气相组分输运特性,该模型考虑了氩气与气相组分之间的流动耦合,Stefan流和浮力影响.研究表明:在压力较低的情况下,自然对流对气相组分的输运过程影响很小,可以忽略,而当压力增高时,自然对流强度显著增大,不可忽略.其次,随着生长温度升高对流的作用增强,生长腔内输运过程由扩散向对流转变,最终对流主导组分的输运过程.随着压力升高对流作用减弱,扩散为气相组分主要输运方式.     

NMR evidence of charge fluctuations in multiferroic CuBr_2

We report combined magnetic susceptibility, dielectric constant, nuclear quadruple resonance(NQR), and zero-field nuclear magnetic resonance(NMR) measurements on single crystals of multiferroics CuBr_2. High quality of the sample is demonstrated by the sharp magnetic and magnetic-driven ferroelectric transition at T_N= T_C≈ 74 K. The zero-field ~(79)Br and ~(81)Br NMR are resolved below T_N. The spin-lattice relaxation rates reveal charge fluctuations when cooled below 60 K.Evidences of an increase of NMR linewidth, a reduction of dielectric constant, and an increase of magnetic susceptibility are also seen at low temperatures. These data suggest an emergent instability which competes with the spiral magnetic ordering and the ferroelectricity. Candidate mechanisms are discussed based on the quasi-one-dimensional nature of the magnetic system.     

Photoinduced Intramolecular Charge Transfer in Donor-acceptor Dyad and Donor-bridge-acceptor Triad

在fullerene-PBTDP-TPA三体体系中的光诱导的分子内电荷转移的实验基础上,分别利用密度泛函理论和含时密度泛函理论以及结合二维、三维实空分析方法对fullerene、PBTDP-TPA二体以及fullerene-PBTDP-TPA三体的基态和激发态的性质进行了理论研究．二维定点表象揭示了激发情况下电子和空穴的相干情况．三维跃迁矩阵展示了跃迁偶极矩的方向和强度,而且三维电荷差密度给出了光诱导的分子内电荷转移的方向和结果．同时,用二维和三维表象的方法对fullerene-PBTDP-TPA三体中光诱导的分子内电荷转移过程进行了验证,揭示了在给予者-桥-接收者三体分子体系中分子内激发时电荷转移的机制．除此之外,还发现直接从给予者到接收者超交换的分子内电荷转移极大地促进了给予者-桥-接收者三体分子体系内的电荷转移．     

Valley-dependent transport in strain engineering graphene heterojunctions

We study the effect of strain on band structure and valley-dependent transport properties of graphene heterojunctions. It is found that valley-dependent separation of electrons can be achieved by utilizing strain and on-site energies. In the presence of strain, the values of transmission can be effectively adjusted by changing the strengths of the strain, while the transport angle basically keeps unchanged. When an extra on-site energy is simultaneously applied to the central scattering region, not only are the electrons of valleys K and K' separated into two distinct transmission lobes in opposite transverse directions, but the transport angles of two valleys can be significantly changed. Therefore, one can realize an effective modulation of valley-dependent transport by changing the strength and stretch angle of the strain and on-site energies, which can be exploited for graphene-based valleytronics devices.     

酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性影响的直接可视化研究

利用含时密度泛函理论研究了酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性的影响,并使用多维可视化技术给出了该体系基态电荷分布和电子跃迁的直观图像. 研究结果表明,芳香性是决定这类体系基态密立根电荷分布的主要因素;酮缺陷效应使得体系基态的密立根电荷分布更多地局域在六卟啉基团上,在这类体系的五氟苯基取代基上密立根电荷布居较少,同时使得体系的芳香性发生改变. 进一步,通过计算体系的跃迁密度和电荷差分密度,可视化了酮缺陷对中性和带电六卟啉芳香性的影响. 结果表明,酮缺陷加强了体系电荷转移的能力.     

折回型纵向振子低频拼合圆柱换能器

提出一种具有小尺寸、低频、水平无指向性的新结构换能器——折回型纵向振子拼合圆柱换能器,换能器由4组共享尾质量块的折回型压电纵向振子正交布置驱动环形辐射面拼合构成。采用有限元方法对换能器进行优化设计,并制作了换能器样品。实验结果表明:换能器直径为Φ180 mm,谐振频率为1.5 kHz,最大发射电压响应为131 dB,最大声源级不低于188 dB,水平全向。该换能器具有低频、小尺寸、水平无指向性的特点,具有良好的应用前景。