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1
1.
单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制
王雪亮
徐建萍
石少波
张晓松
张旭光
赵相国
石鑫
李淑彬
李岚
《发光学报》
2015,(7)
制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流( SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。
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