首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   1篇
物理学   4篇
  1998年   1篇
  1995年   2篇
  1987年   1篇
排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
李晴棉  高淑琴 《发光学报》1995,16(4):365-367
近年来随着光纤技术的发展,各种光纤传感器日臻完善。我们先后制作出光纤微压力传感器、光纤液位传感器、光纤高温传感器以及用于化学溶液的浓度测量等系列光纤传感器。由于社会和生产的需要,在我所过去研究工作的基础上,又研制出光纤编码器的实验样机。本文阐述研制的光纤编码器的工作原理、设计制作及技术指标。并对其应用范围进行讨论。  相似文献   
2.
李晴棉  李奉民 《发光学报》1995,16(4):330-336
利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。  相似文献   
3.
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs1-xPx LED在正向电压,I=100mA(J=250A/cm2)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs1-xPx LED中存在三个电子能级:△En1=(0.19±0.01)eV;△En2=(0.20±0.01)eV;△En3=(0.40±0.01)eV。发现老化之后△En1与△En2的能级密度变小,而△En3的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通,C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs1-xPx LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△En1与△En2对GaAs1-xPx LED的发光效率与退化特性无影响,而△En3是限制GaAs1-xPx LED发光效率和退化特性的有效复合中心。  相似文献   
4.
光外差电信号接收机李晴棉李也凡何大伟许承杰(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)(中国科学院长春物理研究所,长春130021)关键词光外差,电信号,接收我们利用光学外差的原理和声光集成的技术手段,成功地研制出我国第一台集成光学外差电...  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号