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利用扫描电子显微镜(SEM)观察了气相外延GaN:Zn晶片的表面形貌、Zn浓度分布和阴极射线发光微区光谱及其MIS结构的电致发光微区光谱。研究表明,Zn杂质掺入GaN可以形成四种能量位置的发光中心;它们的形成与Zn浓度和晶体的微区结构有关;二者的不均匀决定了发光的不均匀性。 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs1-xPx LED在正向电压,I=100mA(J=250A/cm2)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs1-xPx LED中存在三个电子能级:△En1=(0.19±0.01)eV;△En2=(0.20±0.01)eV;△En3=(0.40±0.01)eV。发现老化之后△En1与△En2的能级密度变小,而△En3的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通,C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs1-xPx LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△En1与△En2对GaAs1-xPx LED的发光效率与退化特性无影响,而△En3是限制GaAs1-xPx LED发光效率和退化特性的有效复合中心。 相似文献
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