Quadratic nonlinear response to 1.56-μm continuous wave laser in semi-insulating GaAs

The nonlinear photoresponse to a 1.56μm infrared continuous wave laser in semi-insulating （SI） galliu- marsenide （GaAs） is examined. The double-frequency absorption （DFA） is responsible for the nonlinear photoresponse based on the quadratic dependence of the photocurrent separately on the coupled optical power and bias voltage. The electric field-induced DFA remarkably affects the native DFA in SI GaAs. The surface electric field or the surface band-bending of SI GaAs significantly affects the magnitude variation of the Dhotocurrent and dark current     

Tb3Al5O12∶Ce3+发光粉的微波辅助合成和性能表征

采用微波辅助合成-高温热处理制备了铈掺杂铽铝石榴石(Tb3Al5O12∶Ce3 ,简称TAG∶Ce)发光粉。用XRD、SEM、激发和发射光谱等对粉末的晶型、形貌以及发光性能进行了表征。结果表明,发光粉晶粒清晰、表面光滑,粒径在2μm以下。TAG∶Ce的激发光谱主激发峰在467nm,330nm左右存在次激发峰,375nm附近存在两个强度较弱的峰;发射光谱峰值波长为550nm,与传统固相法制备的TAG∶Ce基本一致。与传统高温固相反应法相比,此方法具有高效、节能、环保等优点。通过分析反应历程,证明了Tb2O3-Al2O3系统中Al离子的分扩散系数大于Tb离子的。     

辉光放电质谱法测定超高纯铜溅射靶材中痕量杂质元素及其相对灵敏度因子的求取北大核心CSCD

通过选择合适的同位素及分辨率,提出了辉光放电质谱法(GDMS)测定超高纯铜溅射靶材中39种痕量杂质元素的分析方法。对辉光放电过程中的参数进行了优化,条件如下:放电气体流量为450 mL·min^(-1),放电电流为2.00 mA,预溅射时间为20 min。由于高纯铜的GDMS标准样品极难获得,为提高痕量杂质元素的检测准确度,在现有的标准样品条件下,利用高纯铜标准样品只获得了与基体匹配的21种杂质元素的相对灵敏度因子(RSF),其余18种杂质元素的RSF只能按照仪器自带的标准RSF进行计算。参照美国材料与试验协会的标准ASTM F1593-08(2016)的TypeⅢ中的第2种方法计算33种杂质元素的检出限,而其他6种主要杂质元素因其含量高于仪器噪声水平而无法用此法得到检出限。用GDMS对超高纯铜溅射靶材样品进行了检测,主要杂质元素为硅、磷、硫、氯、铁、银,检出量为0.015~0.082μg·g^(-1),杂质总量小于1μg·g^(-1)。除锌、碲、金的检出限在10 ng·g^(-1)级外,其余元素的检出限能够达到ng·g^(-1)级,其中钍、铀的检出限甚至达到了0.1 ng·g^(-1)级,说明方法能够满足GB/T 26017-2010中的6N(99.9999%)超高纯铜溅射靶材的检测要求。     

毛细管离子色谱法测定饮用水中的阴离子

研究了毛细管离子色谱法检测饮用纯净水、矿物质水及天然矿泉水中的7种无机阴离子(F–,Cl–,Br–,NO2–,NO3–,PO43–,SO42–)含量的方法。实验采用Ion Pac AS19 Capillary阴离子交换色谱柱(250 mm×0.4 mm,Thermo Fisher),以KOH溶液为淋洗液。测定7种阴离子的线性范围F–为10~1 000μg/L,Cl–为15~1 500μg/L,Br–,NO2–,NO3–为50~5 000μg/L,PO43–,SO42–为75~7 500μg/L,线性相关系数除PO43–为0.998外,均大于0.999,检出限为0.001~0.1μg/L,各离子加标回收率在94.53%~101.1%之间。用该法对实际水样进行测定,测定结果的相对标准偏差小于5%(n=3)。该方法简单实用,适用于饮用水中常见阴离子的分析测定。     

锰掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3复相陶瓷的制备和介电性能

以分析纯的Ba(NO3)2、Sr(NO3)2、草酸和钛酸丁酯为原料, 采用草酸盐共沉淀法制备了钛酸锶钡（Ba0.6Sr0.4TiO3, BST）纳米粉体. XRD和SEM分析结果表明, 该方法制备出立方相的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体, 平均粒径小于100 nm, 具有较高的烧结活性. 用传统固相法制备了锰掺杂钛酸锶钡-钛酸镁(Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3, BST-MT)复相陶瓷, 系统研究了掺杂0.1%-2.0%(x, 摩尔分数, 下同)锰对钛酸锶钡-钛酸镁复相陶瓷微观形貌和介电性能的影响机理. 结果表明, 当锰的掺杂量小于1.5%时, Mn作为受主掺杂取代占据钙钛矿ABO3的B位, 因此导致居里点略微向高温偏移和相变扩散的发生, 锰的掺杂导致晶格畸变, 促进了晶粒生长, 使晶界相比例下降, 因此介电损耗随着锰掺杂量的增大而减小; 当锰的掺杂量为1.5%时, 介电损耗达到最小值, 继续增大掺杂量, 介电常数下降, 介电损耗上升.     

Tb3Al5O12：Ce^3＋发光粉的微波辅助合成和性能表征

采用微波辅助合成一高温热处理制备了铈掺杂铽铝石榴石（Tb3Al5O12：Ce^3＋,简称TAG：Ce）发光粉。用XRD、SEM、激发和发射光谱等对粉末的晶型、形貌以及发光性能进行了表征。结果表明,发光粉晶粒清晰、表面光滑,粒径在2μm以下。TAG：Ce的激发光谱主激发峰在467nm,330nm左右存在次激发峰,375nm附近存在两个强度较弱的峰;发射光谱峰值波长为550nm,与传统固相法制备的TAG：Ce基本一致。与传统高温固相反应法相比,此方法具有高效、节能、环保等优点。通过分析反应历程,证明了Tb2O3-Al2O3系统中Al离子的分扩散系数大于Tb离子的。     

锰掺杂Ba0.6Sr0．4TiO3-MgTiO3复相陶瓷的制备和介电性能

以分析纯的Ba(NO3)2、Sr(NO3)2、草酸和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备了钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4tiO3,BST)纳米粉体.XRD和SEM分析结果表明,该方法制备出立方相的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,平均粒径小于100 nm,具有较高的烧结活性.用传统固相法制备了锰掺杂钛酸锶钡.钛酸镁(Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3,BST-MT)复相陶瓷,系统研究了掺杂0.1%-2.0%(x,摩尔分数,下同)锰对钛酸锶钡-钛酸镁复相陶瓷微观形貌和介电性能的影响机理.结果表明,当锰的掺杂量小于1.5%时,Mn作为受主掺杂取代占据钙钛矿ABO3的B位,因此导致居里点略微向高温偏移和相变扩散的发生,锰的掺杂导致晶格畸变,促进了晶粒生长,使晶界相比例下降,因此介电损耗随着锰掺杂量的增大而减小;当锰的掺杂量为1.5%时,介电损耗达到最小值,继续增大掺杂量,介电常数下降,介电损耗上升.     

辉光放电质谱法测定高纯钛中痕量杂质元素及其相对灵敏度因子校正EI北大核心CSCD

通过选择合适的同位素及分辨率,建立了辉光放电质谱法(GDMS)测定高纯Ti中57种痕量杂质元素的方法。辉光放电过程优化条件为Ar流量500 mL/min,放电电流2.2 mA,预溅射时间30 min。利用高纯Ti标准样品获得了与基体匹配的13种元素的相对灵敏度因子(RSF)值。用建立的方法对高纯Ti溅射靶材样品进行检测,主要杂质元素为Al, Si, S, Cl, V, Cr, Mn, Fe, Ni, Cu, Zr,含量在0.051~2.470μg/g之间,相对标准偏差(RSD)<23%,杂质总量<5μg/g。其中,Ca, Nb元素的检出限为0.5μg/g,其余元素的检出限低至10 ng/g级或1 ng/g级,而且Th, U元素的检出限达到0.1 ng/g。该方法能够满足5N级高纯金属Ti溅射靶材的检测要求。