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离子色谱法测定高纯水及高纯硅烷中超痕量阴离子 总被引：2，自引：0，他引：2
提出了用离子色谱测定高纯水和高纯硅烷中痕量阴离子的方法。用适当浓度的淋洗液稀释标准溶液,从而可以很好地分解F~-峰。通过控制环境污染,可得到平滑基线、很低的空白值及峰高与浓度间的良好线性关系。提高了检测灵敏度,F~-、Cl~-、NO_3~-、HPO_4~(2-)、SO_4~(2-)等阴离子的检测限分别为0.1,0.05,0.5.0.5及0.1Ppb。方法快速、可靠、准确,可用于测定大规模集成电路生产过程中的阴离子污染。 相似文献
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无火焰原子吸收光谱测定痕量硅 总被引：3，自引：0，他引：3
痕量硅一般采用硅钼杂多酸分光光度法来测定,此法操作冗长、试剂空白高,不能适应高纯物质中痕量硅的测定。为此我们探索了无火焰原子吸收光谱测定痕量硅的条件,建立了测定痕量硅的方法。采用高温石墨炉原子吸收光谱测定硅已有报导,但由于硅能形成碳化物,使测定的灵敏度和精密度变坏。为了防止待测元素在石墨炉中形成碳化物,可在管内溅射涂层或放入内衬片;也可用能与石墨作用生成稳定碳化物的盐类预处理石墨炉管。处理方法可分二类:一是盐类溶液直接注入炉管内壁;二是用盐类溶液浸渍炉管,依据痕量分析的 相似文献
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