Eu替代浓度对Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ体系电子结构和超导电性的影响

利用正电子湮没和X-射线衍射技术,对Eu替代Y位的Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8,1.0)超导体系进行了系统研究,分析了体系的电子结构和正电子寿命参数的变化特征.给出了超导转变温度Tc与Eu替代浓度x之关联.结果表明:所有Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ样品均保持与YBa2Cu3O7-δ(Y-123)样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命τm随Eu替代浓度x的增加而增加,反映了Eu替代Y位引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布及Cu-O面的层间耦合.     

激光辐照对MgB2超导体电子结构的影响

研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后,利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况,对光辐照后MgB2超导体样品中缺陷及电子结构的变化进行了讨论。实验表明:MgB2超导体中的平均电子浓度对激光的照射十分敏感,并随光照时间的增加而增加。     

镧系超导体1/8反常现象的研究

我们测量了La2-xMxCuO4 (LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱,研究了正电子湮没机制与超导电性之间的关系.实验结果表明在x=1/8附近电子密度(ne)出现峰值响应,说明在掺杂浓度不断增加的过程中,当x<1/8时,正电子-空穴反关联起决定性的作用,而在x>1/8时,化学掺杂引起的电子损失是决定电子密度的最重要的原因.     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.     

金属氧化物超导陶瓷Y-123体系烧结过程与结构缺陷的正电子实验研究

利用正电子湮没技术,结合X射线衍射和扫描电子显微镜结构分析,对Y-123超导体烧结过程进行了研究,给出了烧结时间、烧结温度对该体系结晶度和晶体结构的影响特征,发现在950℃温度烧结下,随烧结时间的增加,Y-123体系的正交畸变度增加;而就整体而言,正电子平均寿命随烧结温度和烧结时间增加而增加,并趋于饱和.证明在烧结温度为920—950℃、烧结时间为12—72h的实验条件下,Y-123超导材料中的缺陷分布趋于稳定.讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征 关键词： 正电子寿命谱 2Cu₃O_7-δ超导体')" href="#">YBa₂Cu₃O_7-δ超导体 烧结过程 晶体结构     

MgB2超导体的正电子湮没研究

本文利用正电子湮没技术（PAT）对不同密度的MgB2样品分别进行了测定，结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间（本征寿命τ1）和在捕获态的湮没时间（缺陷寿命τ2）比其他高温超导体都明显要高，这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低，可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成，MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷，而且与样品的密度或孔隙度有关．     

YBa2Cu3O7-δ超导体烧结特性的正电子寿命谱研究

研究了不同烧结时间(2～72hrs)的YBa2Cu3O7-δ超导材料的正电子寿命谱,给出了正电子寿命参数与烧结时间的对应关系,发现了Y-123超导体系的结晶度、晶体结构、空位浓度与烧结时间之间的关联,证明在高温超导材料的制备过程中,合适的烧结时间是必要的.这一结果为正电子湮灭技术用于研究Y-123超导体实验结果的可靠性及其与工艺的依赖关系提供了重要的基础研究资料.     

密立根油滴实验数据的处理方法

依据欧几里德算法，由计算机处理密立根油滴实验数据，得到基本电荷电量，并且给出了用Fortran编写的程序．     

YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系的正电子寿命谱研究

利用正电子湮没谱方法,对Zn替代的YBa2Cu3-xZnxO7-δ(x=0.0～0.5)体系进行了系统研究,给出了正电子寿命参数随Zn替代含量x的变化.证明CuO2面载流子的不均匀分布乃是Zn替代引起超导电性退化的主要原因.讨论了Zn替代引起Y-123体系电子结构的变化特征并给出了初步的解释.