硅表面SiO_2薄膜中钠的沾污

在半导体器件中,由于硅表面SiO2薄膜中钠的沾污,严重地影响着器件的稳定性、可靠性及成品率.对于MOS器件,这一影响就更为突出,因此深为人们关注.究竟如何有效地除去氧化膜中的Na ,提高器件的可靠性和电学稳定性,这已成为国内外研究的重要课题. 已有大量的实验证实,在1150℃下的氧化气氛中掺进6%克分子浓度的HCl气体,能大大减少氧化膜中可动的离子数[1-5].但机理尚不明确,影响了它的广泛应用.对此,我们利用中子活化与离子微探针分析技术,通过测定SiO2薄膜中钠的含量及Na 与Cl-在氧化膜中的纵向分布,研究了掺HCl氧化改善Na 影响的机理;…     

高效液相色谱法测定仙草及其加工产品中苯甲酸含量

应用三种不同溶剂对仙草及相关产品中苯甲酸进行提取,结果表明超纯水作为样品中苯甲酸提取溶剂较好;采用高效液相色谱仪、二极管阵列检测器检测对仙草及其加工产品中苯甲酸进行检测,结果表明方法检出限为1.25 mg/kg,样品加标回收率在86~112%间,相对标准偏差在1.53~4.35%间;通过对仙草干草和市场上销售的7个以仙草为主原料的产品进行苯甲酸检测,除一个未检出外,其余均含有一定量苯甲酸。