首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   285篇
  免费   35篇
  国内免费   77篇
化学   108篇
晶体学   1篇
力学   20篇
综合类   5篇
数学   31篇
物理学   232篇
  2024年   2篇
  2023年   9篇
  2022年   10篇
  2021年   7篇
  2020年   1篇
  2019年   7篇
  2018年   15篇
  2017年   4篇
  2016年   1篇
  2015年   5篇
  2014年   18篇
  2013年   3篇
  2012年   15篇
  2011年   12篇
  2010年   6篇
  2009年   20篇
  2008年   22篇
  2007年   15篇
  2006年   18篇
  2005年   18篇
  2004年   21篇
  2003年   14篇
  2002年   7篇
  2001年   11篇
  2000年   8篇
  1999年   14篇
  1998年   6篇
  1997年   13篇
  1996年   15篇
  1995年   8篇
  1994年   6篇
  1993年   7篇
  1992年   11篇
  1991年   11篇
  1990年   7篇
  1989年   1篇
  1988年   3篇
  1987年   3篇
  1986年   2篇
  1985年   8篇
  1984年   2篇
  1983年   6篇
  1982年   1篇
  1981年   3篇
  1958年   1篇
排序方式: 共有397条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
场协同理论在椭圆型流动中的数值验证   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文用数值模拟的方法,通过四个椭圆型流动传热的例子验证了场协同理论的正确性.结果表明,场协同理论不仅适合于抛物型流动,亦适合于复杂的有回流的椭圆型流动.  相似文献   
3.
新型小周期wiggler的研制   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
本文提出一种新型小周期wiggler结构,它是由带铁芯的双绕螺旋片组成,产生圆极化磁场,对周期为10mm,长100mm的wiggler原型的磁场进行测量,横向磁场可达1KG,根据现有的加速器,加速电压为400—500keV,提出了输出频率为190GHz的小周期wiggler自由电子激光放大器设计。 关键词:  相似文献   
4.
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications.  相似文献   
5.
本文采用直接模拟蒙特卡罗方法对稀薄气体二维外部柱体绕流问题进行了数值模拟。结果表明:外部绕流问题,在特定情况下会产生激波,激波的产生,不仅与气体的稀薄程度有关,还与来流马赫数有关。而气流与壁面之间的换热,随来流马赫数增加而增加,随气体稀薄程度增加而减小。  相似文献   
6.
直接模拟蒙特卡罗方法在微通道流动模拟中的应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
直接模拟蒙特卡罗方法是一种求解稀薄气体流动换热新的数值方法。本文采用该方法对Kn数跨越速度滑移区和过渡区的三个微通道内的流动进行了数值模拟,给出了通道内速度、压力及局部阻力系数的变化曲线.为了表明通道横纵比对流动的影响,还对每个算例在不同的横纵比下进行了比较。结果表明,微通道内的流动特性不仅与Kn数有关,而且与通道的横纵比也有很大的关系。  相似文献   
7.
We study the electronic energy levels and probability distribution of vertically stacked self-assembled InAs quantum discs system in the presence of a vertically applied electric field. This field is found to increase the splitting between the symmetric and antisymmetric levels for the same angular momentum. The field along the direction from one disc to another affects the electronic energy levels similarly as that in the opposite direction because the two discs are identical. It is obvious from our calculation that the probability of finding an electron in one disc becomes larger when the field points from this disc to the other one.  相似文献   
8.
We study the oscillator strengths of the optical transitions of the vertically stacked self-assembled InAs quantum discs.The oscillator strengths change evidently when the two quantum discs are far apart from each other.A vertically applied electric field affects the oscillator strengths severely.while the oscillator strengths change slowly as the radius of one disc increases.We also studied the excitonic energy of the system.including the Coulomb interaction.The excitonic energy increases with the increasing radius of one disc.but decreases as a vertically applied electric field increases.  相似文献   
9.
本文通过对脉管内自然对流的数值模拟,讨论了当脉管冷端处在不同方向时,脉管内的自然对流对脉管制冷机性能的影响.数值模拟结果表明,当冷端在下时获得的制冷温度最低;当热端在下并与重力方向成30°时制冷温度最高.结论与实验测量结果定性一致.所做的理论分析对实现脉管制冷机的良好运行有指导意义。  相似文献   
10.
本文通过三环戊基镓与取代苯酚, 有机酸, 氨基酸反应合成了八个新的有机镓配合物, 这些配合物经过元素分析、质谱、核磁共振或红外光谱鉴定; 质谱研究表明这些配合物均以二聚体的形式存在。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号