P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

本文研究了限制层中掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响。结果表明限制层掺In-Zn合金或掺Mg的器件不易发生p-n结偏位,器件具有单一的长波长光谱峰,正常的I-V特性以及暗结构出现率低的特性,而限制层掺Zn当浓度≥1×1018cm-3时,外延片易发生p-n结偏位,导致器件的异常特性。并观察到在扩散结器件中,在85℃长时间老化过程中,有p-n位置移动现象发生。     

p型Ga0.47In0.53AS接触层的生长

用过冷法在632-630℃生长了掺Zn的p型Ga0.47In0.53As接触层.研究了液相中Ga组分和Zn组分对GaxIn1-xAs/InP异质结晶格失配的影响,用一次外延技术生长了GaxIn1-xAs作接触层的GaInAsP/InP双异质结.     

GaInAsP/InP双异质结发光管材料的研究

用二相法液相外延生长了GaInAsP/InP双异质结材料。已制得用于光通讯的、小面积的、输出功率>1mW(工作电流100mA)的发光二极管。讨论了外延工艺和影响材料性质的因素。     

可集成的高效率InGaAsP相位调制器

GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。 本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀和常规工艺制备。这种波导禁带波长1.3μm的调制器在1.52μm波长观察到很大的相位移效率,对TE模和TM模来说分别为60°/V·mm和43°/V·mm。     

光吸收法检测GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结液相外延片的室温禁带宽度

用双光束分光光度计测定了GaxIn1-xAsyP1-y/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度,并和制得的发光管发射波长及计算值进行比较。部分样品用电子探针阴极荧光法对照。说明光吸收法简便、迅速、可靠。可对液相外延质量提供一定的评价。