排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
采用单、双取代包括三重激发的二次组态相互作用[QCISD(T)]方法和单、双取代包括非迭代三重激发的耦合簇理论[CCSD(T)]方法, 结合相关一致基组aug-cc-pVXZ (X=D, T, Q, 5)对基态35ClF-和37ClF- (X2Σ+)分子离子进行了结构优化计算. 对CCSD(T)方法的计算结果用四种方法分别外推至基组极限, 得到了体系在基组极限的平衡结构常数. 在CCSD(T)/aug-cc-pVXZ (X=D, T, Q, 5)理论水平进行了单点能扫描. 对扫描计算结果进行基组外推并用Murrell-Sorbie 势能函数拟合得到了体系的解析势能函数表达式, 并进一步得到了35ClF-和37ClF-的光谱常数. 拟合所得势能曲线准确地再现了其离解能和平衡结构特征. 对ClF 中性自由基采用完全相同的理论方法进行了计算. 所得结果与有关文献中的实验结果符合得很好, 而且在一定程度上证明了将该理论方法应用于ClF-分子离子的计算是合适而可靠的. ClF 自由基的优化计算结果还被用于计算其电子亲和能.ClF-的垂直解离能也同时计算得出. 基于ClF-的结构优化和单点能扫描计算结果, 通过求解核运动的径向薛定谔方程, 得到了无转动35ClF-和37ClF-(X2Σ+)的全部振动态及相应的分子常数. 相似文献
2.
表面缺陷基态模孤子的性质在实现全光控制方面有重要的应用。基于非线性薛定谔方程,利用虚时间变换、非线性松弛法以及分步傅里叶算法等数值方法对具有半无限缺陷光格子的克尔型非线性介质中存在的基态模的特性进行了详细研究。研究结果表明:对于吸引型半无限缺陷光格子,表面缺陷基态模只能分布于缺陷处,而对于排斥型半无限缺陷光格子,表面缺陷基态模既可以分布于缺陷处,也可以分布于其他格子通道处;每个系统参数存在着一个临界值,当其他参数保持不变的情况下,这个系统参数的数值大于或小于其临界值时,表面缺陷基态模将能或不能分布于缺陷处。从物理机制方面看,光格子与光束诱导的非线性折射率之间的竞争导致了这种临界行为的出现。 相似文献
3.
4.
5.
初中教本上有关帕斯卡定律的实验是采用图1装置的。利用这样的实验装置,只能说明:加在密闭液体或气体上的压强,能够由液体或气体以相同的大小向各个方向传递;不能说明:这个传递过来的压强是否与原来所施加的压强相等。在有些教学参考资料上,建议将装置改成图2所示的样子。经过这样改装以 相似文献
6.
初中教本上有关帕斯卡定律的实验是采用图1装置的。利用这样的实验装置,只能说明:加在密闭液体或气体上的压强,能够由液体或气休以相同的大小向各个方向传递;不能说明:这个传递过来的压强是否与原来所施加的压强相等。在有些教学参考资料上,建议将装置改成图2所示的样子。经过这样改装以 相似文献
1