金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.     

金属有机物化学气相沉积生长的$lt;i$gt;a$lt;/i$gt;(1120)面GaN三角坑缺陷的消除研究

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料. 用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,（1120）面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″. 关键词： GaN 原子力显微镜 高分辨X射线衍射仪 非极性