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本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga1-xAlxAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。
关键词: 相似文献
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Ⅱ—Ⅵ族半导体研究概观 总被引:2,自引:0,他引:2
回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子,激子增益;(4)量子线,量子点及稀磁半导体。 相似文献
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We theoretically study the spin properties of two interacting electrons confined in the IhAs parallel coupled quantum dots (CQDs) with spin-orbit interactions (SOI) by exact diagonalization method. Through the SOI induced spin mixing of the singlet and the triplet states, we show the different spin properties for the weak and strong SOI. We investigate the coherent singlet-triplet spin oscillations of the two electrons under the SOI, and demonstrate the detailed behaviors of the spin oscillations depending on the SOI strengths, the inter-dot separations and the external magnetic fields. To better understand the underlying physics of the spin dynamics, we introduce a four-level model Hamiltonian for both weak and strong SOI, and find that the SOI induced in plane effective magnetic fields can be quantitatively extracted from the two-electron excitation energy spectra. 相似文献
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本文应用超几何方程在正则奇点邻域的解得到各种与超几何函数石关的函数在该邻域的展开式。对第一、二类完全椭圆积分不仅给出展开形式,而且列举了数值计算结果。 相似文献
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