排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究,确定了较为适当的有机物分解工艺。在此基础上研究了不同外延成相热处理温度对GBO薄膜生长的影响,并对较高温度处理后样品产生裂纹的原因进行了初步分析。GBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析。研究结果表明,在Ar气氛中适宜于GBO薄膜生长的最佳温度在770℃度附近,在此条件下可以制备出表面平整致密的GBO薄膜。 相似文献
2.
无氟MOD方法制备GdBCO薄膜 总被引：1，自引：0，他引：1
采用无氟金属有机物沉积方法(MOD)在单品基底SiTrO3(100)上制备GdBa2Cu3O7-x(GdBCO)薄膜.所用的无氟MOD方法制备GdBCO薄膜具有前驱溶液稳定、薄膜致密性好以及相比于TFA-MOD方法在热处理过程中无HF气体的产生等优点.经过一系列热处理工艺后,对薄膜进行X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)分析以及超导性能的测试.通过熔融外延生长,得到c轴织构良好、表面平整致密、临界超导转变温度为90 K的GdBCO薄膜,77K自场下的临界电流密度约为0.6 MA/cm2. 相似文献
1