用射频溅射设备制备超导铌膜

本文详细地介绍了在高真空射频溅射镀膜机上制备超导铌膜的方法.由于采用了衬底加热、长时间预溅射、扩散泵口加液氮冷阱、提纯氩气等方法,制出的厚铌膜T_c为9.1K,接近大块铌材的T_c值.不加任何保护的铌膜可长时间放置在大气中,性能基本不变.     

铌膜微桥组合式dc SQUID

本文报道了我们利用平面铌膜微桥与半圆柱面形铌箔互相扣合制成的组合式dcSQUID器件。铌桥的临界电流曾利用我们改进过的脉冲处理方法加以调整,使之达到所期望的数值。这种SQUID的现有磁场灵敏度为1.3×10~(-8)G/(Hz)~1/2,主要的限制在于电子线路而不在SQUID器件。器件的稳定性及寿命相当令人满意,其中一个器件在一年半的时间内经历过60多次的室温—液氦循环,性能未见明显变化。     

一种灵活方便的线性扫描电路

为了方便地测试直流SQUID器件的I-V及V-H特性曲线,我们利用二只国产的FC54C线性组件,分别做积分器和加法器,装了一台线性扫描器。本文详细地介绍了线路的调试及用途,并附印刷线路扳布线图.     

一种改进的铌膜微桥脉冲处理方法

本文提出了一种对铌膜微桥进行脉冲处理的改进方法,用于对桥的临界电流进行大幅度调整.本方法的特点是,处理与监测过程都在液氦浴内同时进行,使效率和成品率大为提高.描述了所用电子设备的框图,说明了处理过程及其结果.