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1.
2.
A free standing film of polyaniline as large as 18 cm×18cm×0.002 cm can be obtained by evaporation of a solution of the chemically synthesized base in NMP. Its structure was examined by the elemental analysis, IR, U.V.-visible spectra, XPS, DSC, SEM and X-ray scattering and its conducting behavior as well as electrochemical properties were studied. Results show that the composition, structure of main chain, physical properties of the free standing film of polyanilme is similar to that of the powder. However, some differences in its electronic structure, conductivity at room temperature and potential of redox couple between the flee standing film and powder are observed, which may be due to cross-linking of the film of polyaniline. 相似文献
3.
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5.
详细探讨采用全印刷工艺,制备聚合物OLED显示屏的工艺流程和技术难点的克服。通过喷墨打印纳米银电子墨水制备金属阴极,完全避免了高温及真空工艺的使用。在显示屏制备过程中,我们成功研发由水/醇溶性共轭聚合物聚[9,9-二辛基芴-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴],与一种可固化的环氧树脂粘合剂共混形成的多功能缓冲层。此多功能缓冲层,一方面保护有机功能层,避免纳米阴电子墨水的侵蚀,另一方面提供必需的电子注入功能,使高功函银阴极可以有效地注入电子。通过研究表面能优化打印阴极的成型形貌,并克服工艺难点,所制得的96×3×64分辨率的单色和全彩色聚合物OLED显示屏无坏点/坏线,红、绿、蓝电流效率分别为0.62、4.38、0.93cd/A,色坐标分别为(0.63,0.37)、(0.39,0.57)、(0.18,0.16)。 相似文献
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近年来,金属卤化钙钛矿凭借其优异的光电特性以及可低成本溶液加工的优势得到了学界的广泛关注,成为了光电子领域的研究热点,其中,钙钛矿发光二极管是该领域的一大重要研究方向.由于钙钛矿材料具有荧光量子效率高、带隙连续可调、发光半峰宽窄等优点,钙钛矿发光二极管在短短5年时间内,实现了外量子效率从不足1%到超过20%的重大突破,成为了发展速度最快的发光技术.在这5年的发展历程中,学界主要集中于解决如何实现钙钛矿成膜和结晶过程的控制、如何提高钙钛矿薄膜的荧光量子效率,以及如何改善钙钛矿发光二极管的稳定性等问题.而在众多解决方案中,有机添加剂的使用被认为是一种简单且有效的策略.本文通过文献综述,回顾了有机添加剂在钙钛矿发光二极管领域的整体发展和应用情况,并着重讨论了小分子与聚合物添加剂在钙钛矿中的具体作用,最后分析了当前钙钛矿发光二极管面临的问题,并对其未来发展进行了展望. 相似文献
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采用NiCl2催化的Yamamoto缩聚反应将不同比例的含噻吩单体与间苯单体共聚,合成了聚(5-(2-乙基己氧基)-1,3-苯撑-co-(2,5-二苯撑-4-基-噻吩))(PmP-DPT),并测试了4种不同比例共聚物的紫外-可见光吸收光谱,光致发光光谱和LED器件的电致发光光谱,系统地表征了共聚物的光电性能。结果表明,噻吩的加入形成了新的发光中心,实现了从间苯链段到含噻吩发光中心的有效能量转移,当噻吩摩尔分数约为1%时,可得到效率为0.47%的色坐标(CIE)为0.17和0.13的蓝光PLED器件。当噻吩摩尔分数为10%时,可得到效率为2.59%的色坐标(CIE)为(0.21,0.36)的蓝绿光PLED器件。 相似文献
8.
通过Suzuki偶合反应合成了一系列胺烷基侧链取代的基于三苯胺和芴的共轭聚合物聚[4-(N,N-二甲基胺丙氧基)苯-4,4′-二苯胺-9,9-二辛基芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并噻二唑](PFTD), 并对其化学结构和光电性能进行了表征. 末端胺基的存在提高了此类聚合物作为发光层应用于聚合物电致发光器件的性能(采用高功函数的金属铝作为阴极时). 结构为ITO/PVK/PFTD-5(DBT摩尔分数为5%时的聚合物)/Al的器件最大电致发射峰位于647 nm, 最大外量子效率达到了1.24%. 相似文献
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