硅中Rh—B络合物性质的理论研究

用原子簇ＲｈＢＳｉ２５模拟含四面体间隙位Ｒｈ和替代位Ｂ构成的络合物的硅晶体，采用量子化学中Ｘα－ＳＷ分子轨道理论计算体系的电子结构，电荷分布分析表明，此体系不能用通常的离子模型来描述。