扩镓Si基溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成,其直径约为50～100nm。PL发光谱显示位于344nm处,相对于365nm明显蓝移的带边峰,此发光峰应归功于自由载流子的复合。     

扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究．用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行结构、形貌分析．观测结果表明：采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大．     

硼中子俘获治疗中的含硼-10药物分布及浓度在体测量方法研究进展

硼中子俘获治疗(boron neutron capture therapy,BNCT)是一种结合含硼-10靶向药物和重离子肿瘤治疗的二元精确放射治疗方法,但经过近70年的发展,BNCT仍然未能真正进入临床应用.含硼-10药物在体内的浓度分布测量方法不能满足临床需求,影响治疗的效果和安全性,是目前BNCT亟待解决的核心问题之一.本文对目前含硼-10药物浓度分布测量方法进行综述,包括已经用于临床的有创估算方法及在研的单光子发射断层成像方法、正电子发射断层扫描方法及核磁共振方法等,分析各种方案的优势与局限性.并根据硼-10元素旋磁比低及磁共振横向弛豫时间极短的特点,从理论上简要分析了基于超短回波时间磁共振成像的硼-10体内分布定量测量方法的可行性.     

Updated and revised neutron reaction data for 233U

A complete set of n+²³³U neutron reaction data from 10^-5 eV-20 MeV is updated and revised based on the evaluated experimental data and the feedback information of various benchmark tests. The main revised quantities are nubars, cross sections as well as angular distributions, etc. The benchmark tests indicate that the present evaluated data achieve very promising results.