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采用紫外光电子能谱,研究了新型有机发光材料八芳基环辛四烯(OPCOT)在金属Ru(0001)表面上的电子结构,以及它们之间的相互作用.位于费米能级以下43,69,93和114eV处的4个谱峰分别来自于OPCOT材料中苯环的πCC,σCC,σCH和σHH轨道,位于30eV处的谱峰反映了8个苯环聚合后具有π轨道特性的C—C键.OPCOT材料的价带顶位于费米能级以下25eV处,OPCOT材料在Ru(0001)表面上的功函数为395eV.150℃以下,OPCOT材料可以在Ru(0001)表面稳定存在.随温度的升高,OPCOT材料主要以脱附的形式减少
关键词:
八芳基环辛四烯
光电子能谱
价电子结构
脱附 相似文献
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We report a photoluminescence observation of the coupling of donor-bound excitons and longitudinal optical phonons in high-quality ZnO crystals at 5 K. The first-order phonon Stockes line of donor-bound excitons exhibits a distinct asymmetric line shape with a clear dip at its higher energy side, suggesting that quantum mechanical interference occurs during the annihilation of donor-bound excitons. The donor binding energy is determined to be 49.3 meV from spectral featural. 相似文献
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COT-H在金属Ru表面上沉积的光电子能谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
采用紫外光电子能谱(UPS),分析了不对称四苯基四苯乙炔基环辛四烯(COT H)有机发光材料与金属之间的界面电子结构,研究了在金属/COT H界面上的逸出功变化.UPS谱中位于费米能级以下5.6、7.9和10.2 eV处的三个谱峰分别来自于COT H材料中苯环的πCC、σCC和σCH轨道.位于3.8 eV处的谱峰反映了八个苯环聚合后具有π轨道特性的C-C键.从UPS谱图中可以看到, COT H材料的最高占有态(HOS:highest occupied state)位于费米能级以下1.8 eV处.COT H材料的逸出功只有3.2 eV,比清洁Ru表面的逸出功小1.0 eV.角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)的结果表明,组成COT H分子应该近似平行于衬底表面. 相似文献
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